Endura^® Amber^™PVD

Sundar Ramamurthy shows how revolutionary Amber PVD copper reflow addresses interconnect scaling challenges beyond 20nm.

Sundar Ramamurthy 解說革新的 Amber PVD 銅回流如何解決
20nm 以上的導線微縮問題。

在微電子製程中，採用銅能可靠並完整地填充元件間的連線溝槽和導孔結構，這對元件可靠性非常重要。此製程的關鍵步驟為阻障層 (預防銅擴散至周圍絕緣材料中) 和銅晶種層的沉積，可使接著的電化學沉積 (或電鍍)中無縫隙或接縫。

迄今為止，離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過，若超過 2xnm 節點，即使是最佳化的阻障層/晶種製程，且具有均勻覆蓋和無任何懸突，還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。

獨特的 Endura Amber 物理氣相沉積系統透過經驗證的多合一方式，結合冷沉積和高溫熱銅迴流至 supersede EnCoRe II RFX 銅晶種技術，一舉解決此難題。在 1xnm 節點下，超小型導孔開孔周圍的銅懸突會妨礙傳統物理氣相沉積，使其無法達到最佳化電鍍所需的側壁和底部晶種層覆蓋。新系統透過銅迴流達到底層向上填充，加強了物理氣相沉積，藉此擴展現有技術。這項雙步驟技術能減少實際導孔深寬比 (單次施用) 或完整填充導孔 (反覆施用)，讓電鍍製程更加輕鬆。因此，這項技術能確保無縫隙的填充，達到元件所需的可靠性。沉積/迴流循環的每一步驟皆為獨立溫度控制，其靈活性促使此製程與多種襯墊材料得以成功整合。

此創新銅晶種技術整合在 Endura 平台上，並且在高真空下具有預潔淨和 EnCoRe II Ta(N) 阻障層技術，能在量產中達到高元件良率。