Endura^™ Amber^™PVD

Sundar Ramamurthy shows how revolutionary Amber PVD copper reflow addresses interconnect scaling challenges beyond 20nm.

Sundar Ramamurthy 解释了革命性的 Amber PVD 铜回流如何解决 20nm 以下互连微缩的挑战。

可靠及完整地用铜填充互连沟槽和通孔结构，对于微电子制造的器件可靠性非常重要。该工艺的必要步骤为沉积阻挡层（防止铜扩散至周围绝缘材料）和铜种子层[方便随后的电化学沉积（或电镀）]，使其不会出现孔洞和缝隙。

迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。

独特的 Endura Amber PVD 系统通过成熟的集成化方法，将冷沉积工艺与高温热铜回流工艺相结合，取代了 EnCoRe II RFX 铜晶种技术，一举解决了这一难题。在 1xnm 技术节点下，超小通孔开口周围会出现铜凸悬，使得无法采用常规的 PVD 工艺达到最佳电镀所需的侧壁和种子层覆盖。新系统扩展了当前技术的应用，通过铜回流，增强了 PVD 沉积工艺，实现自底向上的填充。这个两步骤工艺通过减少通孔的有效深宽比（应用一次）或完全填充通孔（重复应用），简化了电镀过程，使无孔洞填充更有保障，从而确保器件的可靠性。沉积/回流工艺中的每一步都能独立控制温度，可灵活地与各种衬垫材料结合使用。

这一创新的铜晶种技术与预清洁和 EnCoRe II Ta(N) 阻挡层技术在高度真空条件下整合至 Endura 平台，在量产中可达到高的器件良率。