半導體 (Semiconductor)
Centura® Tetra™ Z 光罩蝕刻系統
Madhavi Chandrachood 探討 Tetra™ 光罩蝕刻系統。
The Applied Centura Tetra Z 光罩蝕刻系統提供最先進的性能，可滿足 10nm 及以下製程邏輯和記憶體元件的光學微影光罩蝕刻所需。這套全新系統提升了領先業界的 Tetra 平台功能，採用先進的解析度增強技術，在利用四次圖案化來延伸浸潤式微影之下，可以達成前所未有的臨界線寬 (CD) 極限。
半導體業界不斷突破目前微影技術的極限，Tetra Z 系統在其中扮演重要的推手，為先進 10nm 二元光罩和相偏移光罩 (PSMs) 蝕刻，提供製程所需的極端光學鄰近效應修正 (OPC) 解析度增強技術。該系統可在鉻、氮氧化矽鉬 (MoSiON)、硬光罩和石英 (熔融矽石) 圖案轉印中達到極佳的保真度，確保所有線寬尺寸和圖案密度都能進行一致、線性的精密蝕刻，並幾乎達到零缺陷。
該系統結合優秀的臨界線寬 (CD) 性能以及高蝕刻選擇性，可採用更薄的光阻薄膜，進而在關鍵元件層上取得更小的光罩線寬圖案。可控制的臨界線寬補償功能擴大系統的靈活性，可滿足客戶的特定要求。獨特的石英蝕刻深度控制，可確保精確的相位角度，使客戶能夠使用交變孔徑相偏移光罩 (PSMs) 和無鉻相位微影技術，有助於縮小積體電路的尺寸。這些重要性能的提升源於以下方面的改進：反應室的設計；電漿穩定性；離子、自由基、氣流和壓力的調控；製程的即時監測和控制。
Tetra Z 系統具備各類光罩蝕刻的功能，可使設備操作複雜度降至最低、開發週期減至最短且對製程資料庫和專家用戶的依賴也減至最少。近十年來，全球領先的光罩廠都依賴 Tetra 蝕刻系統進行最先進的光罩蝕刻，且良率達到業界最高水平。
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