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Centura™ Tetra™ Z 光掩膜刻蚀系统

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Madhavi Chandrachood 探讨 Tetra™ 光掩膜刻蚀系统。

应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。

随着半导体行业不断扩大当前光刻技术的范围，Tetra Z系统是刻蚀10nm先进二元和掩模相移掩膜（PSM）所需的极端光学邻近效应修正（OPC）分辨率增强技术的重要推动因素。该系统通过控制可确保在所有特征尺寸和图形密度上实现均匀、几乎零缺陷的线性精确刻蚀，可在铬，氮氧化钼硅（MoSiON），硬掩模和石英（石英玻璃）上实现极高的图案转印保真度。

 

 

 

该系统极佳的 CD 性能配合高刻蚀选择比，使得其可以采用更薄的光刻胶薄膜，以在关键器件层实现更小掩膜 CD 的图形。系统能够控制 CD 偏差，拓宽了工艺灵活性，可满足客户的特定要求。独特的石英刻蚀深度控制，可确保精确的相位角度，使客户能够使用交替相移掩膜（PSM）和无铬相移光刻，以帮助微缩集成电路的尺寸。这些重要的性能提升，源自于以下诸方面的改进：工艺腔室的设计；等离子稳定性；离子、自由基、气流和压力的调控；工艺的实时监测和控制。

Tetra Z 系统可用于刻蚀多种不同类型的掩膜，最大程度降低了设备操作的复杂性，缩短了开发周期，以及减少对工艺库和专家级用户的依赖。近十年来，全球领先的光掩膜厂依靠 Tetra 刻蚀系统来刻蚀最先进的掩膜，且良率极佳。