Centris Spectral Mo ALD  (센트리스 스펙트럴 몰리브덴 ALD)

AI와 고성능 컴퓨팅 수요가 빠르게 확대되면서, 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 적용한 첨단 로직 설계는 상부 배선과의 인터페이스에서 임계적인 저항 병목 현상에 직면하고 있습니다. 이 인터페이스에 형성되는 나노스케일 콘택트는 칩 전체 성능과 에너지 효율에 결정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 어플라이드 Centris™ Spectral™ Mo ALD (센트리스 스펙트럴 몰리브덴 ALD) 시스템은 극미세 환경에서도 우수한 전자 이동 특성을 유지하는 몰리브덴(Mo)을 증착함으로써 이 과제를 직접적으로 해결하고, 더 빠르고 전력 효율적인 반도체 소자 구현을 가능하게 합니다.

첨단 노드에서는 치수가 축소될수록 저항률이 증가하고 소자 성능이 저하되면서, 기존 콘택트 소재의 효과가 급격히 떨어집니다. Spectral Mo ALD 시스템은 바텀업(bottom-up) 방식의 단결정 몰리브덴을 원자 수준에서 제어함으로써 이러한 한계를 극복합니다. 이 접근법은 선택적 재료 공정 분야에서 축적된 수십 년간의 기술 리더십을 바탕으로, 전도성을 유지하면서도 더욱 미세한 콘택트 구현을 가능하게 합니다. 그 결과, 업계 표준으로 활용돼 온 선택적 텅스텐 솔루션 대비 핵심 콘택트 저항을 추가로 15% 더 감소시켜, 차세대 로직 설계를 위한 실질적인 성능 및 전력 효율 향상 효과를 제공합니다.

소자 아키텍처가 GAA, CFET, 그리고 점점 더 고도화되는 3차원 집적으로 진화함에 따라, 콘택트 엔지니어링은 성능 스케일링을 유지하는데 있어 더욱 중요한 역할을 하게 될 것입니다. Centris Spectral ALD 플랫폼은 이러한 미래를 염두에 두고 설계되어, 차세대 노드와 새로운 소자 구조를 아우를 수 있는 기반을 제공합니다.