セントリス スペクトラル Mo ALD

AI と高性能コンピューティングが加速し続けるにつれ、ゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタを採用した高度なロジック設計では、上部の配線とのインターフェースで重大な抵抗ボトルネックが発生しています。これらのインターフェースにおけるナノスケールの接触は、チップ全体のパフォーマンスとエネルギー効率に大きな影響を与える可能性があります。Applied Centris^™ Spectral^™ Mo ALD システムは、極端なスケーリングでも優れた電子輸送を維持する材料であるモリブデンを堆積することでこの課題に直接対処し、より高速で電力効率の高いデバイスを実現します。

先進ノードでは、寸法の縮小によって抵抗が増加し、デバイスのパフォーマンスが低下するため、従来の接触材料は有効性を失います。Spectral Mo ALD システムは、ボトムアップの単結晶モリブデンを原子レベルで制御することで、これらの制限を克服します。このアプローチは、選択的材料処理における数十年にわたるリーダーシップを活用し、導電性を維持しながらより小さな接点を実現します。その結果、業界のベンチマークである選択的タングステンよりもさらに15%の接触抵抗の低減が実現しました。 ソリューションにより、次世代ロジック設計に大幅なパフォーマンスと電力の向上をもたらします。

デバイス アーキテクチャがGAA 、 CFET 、そして 3D 統合へと進化するにつれて、コンタクト エンジニアリングはパフォーマンスのスケーリングを持続させる上でさらに大きな役割を果たすようになります。Centris Spectral ALD プラットフォームは、今後のノードや新しいデバイス タイプにまで拡張できる基盤を提供することで、この将来を念頭に置いて設計されています。