刻蚀工艺去除晶圆表面的特定区域，以便沉积其他材料。
“干法”（等离子）刻蚀用于形成电路，而“湿法”刻蚀（使用化学浴）刻蚀主要用于清洁晶圆。应用材料公司还提供一种创新的“干法”去除工艺，无需使用等离子即可有选择地去除相应层。这里通常的做法是，在刻蚀期间使用光刻胶等抗刻蚀“遮蔽”材料或氮化硅等硬掩膜来保护晶圆的一些部分。
刻蚀工艺分为介电质刻蚀或导体刻蚀，分别表示用于去除晶圆上不同类型的薄膜。应用材料公司在刻蚀领域不断创新，始终能够满足在半导体发展过程中的连续关键节点日益严苛的工艺技术要求（例如 3D NAND、极紫外光图形化和扇出型晶圆级封装）。
