晶体管密度的不断提高要求布线越来越小，这对芯片制造的所有关键工艺都提出了更高的要求。应用材料公司的Endura​​™​​CuBS（铜屏障/种子）IMS^{​​™​​}与 Volta^{​​™​​}钌化学气相沉积技术（CVD）提供了一种解决方案，可在单一集成材料解决方案中降低功耗、提高性能并实现面积扩展。

在最先进的节点上用铜填充​​互连的​ ​方法依赖于回流焊技术，利用退火将铜从晶圆表面流入布线沟槽和​​通孔​。这种回流在很大程度上取决于铜必须在其上流动的内衬。传统方法是在大型设备中使用 CVD 钴膜来实现这一目的  然而。对于 3 纳米及更小的器件来说，这种薄膜太厚，会影响良率率和电阻。

通过钌钴（RuCo）二元衬里，应用材料公司将这一关键层的厚度缩减到 20Å 以下，并为导电铜线提供了更大的空间。 此外，这种新型薄膜的界面大大改善了回流机制，并在开发中最小的互连器件上实现了良率。