트랜지스터 밀도가 증가함에 따라 배선이 점점 더 작아지고 칩 제조와 관련된 모든 중요 공정에 대한 요구 사항이 까다로워집니다. 어플라이드의 볼타​​^™​​ 루테늄 CVD를 포함하는 엔듀라​^™​​ CuBS(구리 배리어/시드) IMS^​​™​​는 단일 통합 재료 솔루션으로 전력 소비를 줄이고 성능을 높이며 면적 비용을 줄일 수 있는 솔루션을 제공합니다.

최첨단 노드에서 ​​인터커넥트를​ 구리로 채우는 방법은 어닐링을 이용하여 구리를 웨이퍼 표면으로부터 배선 트렌치 및 ​​비아​ ​에 채워넣어 배선을 완성하는 리플로우 기술에 의존합니다.​ 이 리플로는 구리가 반드시 그 위로 흘러야 하는 라이너에 따라 크게 달라집니다. 기존 방식은 대형 디바이스에서 이를 위해 CVD 코발트 필름을 사용합니다. 하지만 이 필름은 3nm 이하의 디바이스에는 너무 두껍고 수율과 저항이 모두 떨어집니다.

어플라이드 머티어리얼즈는 루테늄 코발트(RuCo) 바이너리 라이너를 사용하여 이 중요한 라이너의 두께를 20Å 미만으로 줄여 전도성 구리 배선을 위한 더 많은 공간을 제공합니다. 또한 이 새로운 필름의 인터페이스는 리플로우 메커니즘을 크게 개선하고 개발 시 가장 작은 인터커넥트에서 수율을 달성합니다.