应用材料公司的 Endura ALPS（先进低压源）Cobalt PVD（物理气相沉积）系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下，可提供优良的钴底部覆盖，且不会对器件造成等离子损伤，...
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迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。
Endura Avenir 系统的 RF PVD 解决了 22nm 及以下节点的高 K / 金属栅极应用以及逻辑接触硅化物问题。
对于高 K / 金属晶体管，Avenir 系统为前栅极和后栅极集成方案提供了各种解决方案，...
通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小，硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...
EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...
微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。
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应用材料公司的 Endura Ventura PVD 系统专为 TSV 金属化而设计，是公司在物理气相沉积 (PVD) 领域的最新创新，使客户能够将其 2D 镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介层应用。它也是首个面向 TSV...
随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。
这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...
在复杂移动技术需求的推动下，多组件系统芯片 (SoC) 设计在迅速激增，以便实现所需的功能和紧凑的形状系数。而当代处理器偏于激进的节距微缩，进一步推动了电路密度的增加，而且对高性能互连线必不可少（这些互连线在多层器件中路径长度近乎几英里）。...
钨已广泛用于逻辑接触体、中端和金属栅极填充应用中，因为它具有低电阻和保形批量填充性能。接触体和局部互连线在晶体管和其余的电路之间形成了临界电气通路。因此，低电阻率对于稳健和可靠的器件性能至关重要。然而，随着微缩继续进行，互联层尺寸开始缩小到某种程度，...
该系统以低成本高效的方式利用 ALD（原子层沉积）技术，通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小，...
主动的晶圆温度控制和应力调制便于以低拥有成本和最小的晶粒损失在互联金属与锡铅凸块之间集成。 通过使用 Preclean XT 原位去除有机残留物和自然氧化层，可确保洁净的表面，以便实现低接触电阻和出色的粘附。
集成的 CMP（化学机械平坦化）后 Mesa 清洗器（同样适用于 150mm 和 200mm 应用）能有效去除浆料、防止残渣形成，最大限度减少微粒和水痕。对于铜镶嵌应用，也可以选择 200mm Desica 清洁和冲洗技术，利用 Marangoni 蒸气干燥器，可实现快速...
持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD技术对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的步骤至关重要。然而，尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要，但也对 ALD 提出了新的要求，...
随着设计规范缩放到单位数节点，器件架构的密集度日益增加，复杂度越来越高，制造工艺涉及的步骤环节也随之增加，工艺控制限制更为严格，致命缺陷变得更加细微。 这些难题的存在，使得在高性能、高可靠性芯片的量产中，缺陷的发现和特征识别对于保证高成品率显得愈发重要。
该系统几乎可以在每一个先进的 DRAM、NAND 闪存和 NOR 闪存制造现场运行，该系统可生产业界第一个可商用的 PECVD 可灰化无定形碳薄膜，该薄膜可用于STI 图案成形、栅极、位线、接触、电容和互联功能。它也是自对准双图案成形集成中的实现薄膜之一，以便将标准...
TSV 制造工艺需要减薄器件晶圆，然后将其粘结到由玻璃或硅制成的临时载体上。由于一般粘结剂的热预算约为 200ºC，所以这些混合型晶圆的所有后续加工必须在非常低的温度下进行。在低温下沉积高质量的薄膜需要一定的 RF 功率级，在该功率级下，会在晶圆表面产生相当可观的额外热量...
BLOk 薄膜能够大幅降低介电薄膜叠层的电容，同时还可以保持出色的刻蚀选择比和电学性能，有利于进一步的 RC 缩放。久经验证的表面预处理和初始层工艺使 BLOk 很容易与 Black Diamond 薄膜集成，从而确保顺利向 45nm 及以下节点应用换代过渡。
Black Diamond II 纳米多孔低 K 薄膜是 45/32nm 铜/低 K 互联层的行业标准，其 K 值约为 2.5。 低k 制造纳米多孔的低 K 薄膜分为两个步骤，第一步为有机硅酸盐玻璃“脊骨” PECVD 和热不稳定有机相沉积，第二步为紫外线 (UV) 固化...
应用材料公司的 Producer 系统全球销量愈 3,000 套，是业内最具成本效益的晶圆加工平台。该平台采用创新的 Twin Chamber 架构，最多可同时处理六个晶圆，达到极佳的生产效率。
该系统将应力氮化物沉积与 UV 固化工艺相集成，可提供高达 1.7GPa 的拉伸应力，同时符合低热预算要求。 同一腔室可沉积压缩应力高达 3.5 GPa 的薄膜。 该工艺利用经过生产验证的硅烷 CVD 技术，可提供出色的阶梯覆盖 (~70%)，同时保持极佳的 SiN...
APF/DARC 薄膜叠层与应用材料公司的 APF™（先进图形化薄膜）可剥离 CVD 硬掩膜结合使用，可提升刻蚀优化解决方案的刻蚀选择比、CD 控制和线条边缘粗糙度。应用材料公司的 Producer DARC PECVD 提供广泛的折射率和消光系数值精调范围，...
Producer Etch 使用双腔室、双前置式晶圆传送盒 (FOUP)、双机器人工厂接口，提供最高产能密度，同时还可对单腔室性能和工艺进行控制。每个双腔室均能以单晶圆或双晶圆模式运行。刻蚀速率、刻蚀速率均匀性和光刻胶选择比，均可通过调节电极之间的间隙来进行调整，...
芯片制造商在芯片设计上不断缩小晶体管的尺寸，以提升单位尺寸的芯片功能。随着晶体管的缩小，晶体管之间的空隙也在变小，彼此之间的物理隔离也变得日益困难。
使用高品质的介电质材料填充晶体管之间通常形状不规则的微小空隙（间隙），变得越来越有困难，20nm...
