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半导体

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                  PVD（物理气相沉积）

                  PVD 沉积工艺用于为先进晶体管高 k 栅介质/金属栅极生成超薄盖帽层和金属栅极薄膜，也用于在互连结构中形成超薄阻挡膜和种子层。

                  在尖端半导体器件制造中，高度均匀、共形沉积超薄薄膜变得越发困难。 应用材料公司的工艺提供了非常好的结果，确保了最终器件的电学性能。

                  Endura

                  Endura® CIRRUS™ HT Co PVD

                  随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。

                  这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...

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                  Axcela PVD

                  AXCELA™ PVD

                  在过去十年的应用中，堪称同类最佳的 应用材料公司 Axcela PVD 系统已证明了其工艺优越性和稳定性，非均匀度小于 2％ 1σ。每个溅射腔室在设计上都尽量降低设备拥有成本，方便保养维护，可形成厚达 8µm 的厚膜，标配沉积三种不同材料的能力，...

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                  Charger™ UBM PVD

                  应用材料公司的 Charger UBM PVD 系统为用于芯片封装的金属沉积生产效率和可靠性确立了新的标准。该 Charger 系统专为 UBM、重新分布层 (RDL) 以及 CMOS 图像传感器应用而设计，其线性架构的晶圆输出是其他同类产品两倍以上，从而提供最高生产效率...

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                  Endura Cobalt

                  Cobalt Product Suite

                  Applied Materials continues to extend its technical leadership in metallization, introducing the most significant material innovation in...

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                  PCRAM System

                  ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

                  The Applied Endura® Impulse™ PVD system is a production-worthy, integrated solution for high-volume manufacturing (HVM) of phase-change...

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                  Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

                  应用材料公司的 Endura ALPS（先进低压源）Cobalt PVD（物理气相沉积）系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下，可提供优良的钴底部覆盖，且不会对器件造成等离子损伤，...

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                  Endura® Amber™ PVD

                  迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。

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                  Endura® Avenir™ RF PVD

                  Endura Avenir 系统的 RF PVD 解决了 22nm 及以下节点的高 K / 金属栅极应用以及逻辑接触硅化物问题。

                  对于高 K / 金属晶体管，Avenir 系统为前栅极和后栅极集成方案提供了各种解决方案，...

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                  Endura® Cirrus™ HTX PVD

                  通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小，硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...

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                  MRAM

                  Endura® Clover™ MRAM PVD

                  The Applied Endura Clover MRAM PVD system is the first production-worthy, integrated platform for high-volume manufacturing (HVM) of...

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                  Endura® CuBS RFX PVD

                  EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...

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                  Endura® PVD 200mm

                  微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。

                  Endura PVD 200mm

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                  Endura® Ventura™ PVD

                  应用材料公司的 Endura Ventura PVD 系统专为 TSV 金属化而设计，是公司在物理气相沉积 (PVD) 领域的最新创新，使客户能够将其 2D 镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介层应用。它也是首个面向 TSV...

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                  Endura

                  Endura® Versa™ XLR2 W PVD

                  随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。

                  这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...

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                  Endura® iLB™ PVD/ALD

                  该系统以低成本高效的方式利用 ALD（原子层沉积）技术，通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小，...

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                  Endura® 底层凸块金属化 PVD

                  主动的晶圆温度控制和应力调制便于以低拥有成本和最小的晶粒损失在互联金属与锡铅凸块之间集成。 通过使用 Preclean XT 原位去除有机残留物和自然氧化层，可确保洁净的表面，以便实现低接触电阻和出色的粘附。

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                  Pika PVD

                  PIKA™ PVD

                  The Applied Pika PVD system is the smallest, fastest, single-wafer PVD tool in the industry today, designed for high-performance R&D...

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                  Topaz PVD

                  TOPAZ™ PVD

                  The Applied Topaz PVD system serves the growing market for PLP, demonstrating leading-edge capabilities on substrates of up to 600mm x...

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                  Applied Producer<sup>®</sup> XP Precision® Draco™ CVD

                  应用材料公司的 Producer® XP Precision® Draco™ CVD

                  当今全球的数字化转型推动了对更低成本、更高密度 DRAM 芯片的需求，特别是在数据中心服务器应用领域。然而，物理上的设计局限限制了 DRAM 的缩放，无法跟上人工智能、5G、物联网和其他数据密集型计算应用不断增长的内存需求。

                  应用材料公司的 Producer...

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