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半导体

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                  技术词汇表

                  PVD（物理气相沉积）

                  PVD is characterized by a process in which a metal vapor is generated by sputtering or evaporation of a target material that then condenses on the wafer surface. Applied has more than 25 years of experience in PVD technology development and holds undisputed market leadership in this segment.

                  PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。

                  PVD 薄膜沉积工艺需要一个高真空的平台，在这个平台上，将 PVD 沉积工艺与脱气和表面预处理技术相集成，以获得最佳的界面和薄膜质量。应用材料公司的 Endura 平台是当前 PVD 金属化的业界黄金标准。

                  Ioniq

                  Endura® Ioniq™ W PVD

                  As integrated circuits and their components continue to scale downward, the dimensions of metal interconnects and contacts between...

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                  Endura

                  Endura® CIRRUS™ HT Co PVD

                  随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。

                  这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...

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                  Axcela PVD

                  AXCELA™ PVD

                  在过去十年的应用中，堪称同类最佳的 应用材料公司 Axcela PVD 系统已证明了其工艺优越性和稳定性，非均匀度小于 2％ 1σ。每个溅射腔室在设计上都尽量降低设备拥有成本，方便保养维护，可形成厚达 8µm 的厚膜，标配沉积三种不同材料的能力，...

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                  Charger® UBM PVD

                  应用材料公司的 Charger UBM PVD 系统在芯片封装金属沉积工艺的生产效率和可靠性方面树立了新的标准。Charger 系统专为 UBM、RDL 和 CMOS 影像传感器应用而设计，它采用线性架构，其晶圆产量是其他同类设备的两倍以上，达到市面上最高的生产效率。此外...

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                  PCRAM System

                  ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

                  应用材料公司 Endura® Impulse™ PVD 系统是用于相变随机存取存储器 (PCRAM) 和电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 器件大规模量产 (HVM) 且具有生产价值的集成解决方案。PCRAM 和 ReRAM 是新兴的非易失性存储器，可填补 DRAM（...

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                  Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

                  应用材料公司的 Endura ALPS（先进低压源）Cobalt PVD（物理气相沉积）系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下，可提供优良的钴底部覆盖，且不会对器件造成等离子损伤，...

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                  Endura® Amber™ PVD

                  迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。

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                  Endura® Avenir® RF PVD

                  Endura Avenir 系统的 RF PVD 解决了 22nm 及以下节点的高 K / 金属栅极应用以及逻辑接触硅化物问题。

                  对于高 K / 金属晶体管，Avenir 系统为前栅极和后栅极集成方案提供了各种解决方案，...

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                  Endura® Cirrus™ HTX PVD

                  通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小，硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...

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                  MRAM

                  Endura® Clover™ MRAM PVD

                  应用材料公司 Endura Clover MRAM PVD 系统是用于磁性随机存取存储器 (MRAM) 器件大规模量产 (HVM) 的首款具有生产价值的集成平台。闪存的基于电荷的运行特性使其面临着缩放限制；MRAM 最有望成为其替代品，因为其基于电阻的运行更具可缩放性，...

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                  Endura® CuBS RFX PVD

                  EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...

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                  Endura® PVD 200mm

                  微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。

                  Endura PVD 200mm

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                  Endura® Ventura™ PVD

                  应用材料公司的 Endura Ventura PVD 系统专为 TSV 金属化而设计，是公司在物理气相沉积 (PVD) 领域的最新创新，使客户能够将其 2D 镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介层应用。它也是首个面向 TSV...

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                  Endura

                  Endura® Versa™ XLR2 W PVD

                  随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。

                  这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...

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                  Endura® iLB™ PVD/ALD

                  该系统以低成本高效的方式利用 ALD（原子层沉积）技术，通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小，...

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                  Endura® 底层凸块金属化 PVD

                  主动的晶圆温度控制和应力调制便于以低拥有成本和最小的晶粒损失在互联金属与锡铅凸块之间集成。 通过使用 Preclean XT 原位去除有机残留物和自然氧化层，可确保洁净的表面，以便实现低接触电阻和出色的粘附。

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                  Pika PVD

                  PIKA™ PVD

                  应用材料公司的 Pika PVD 系统是当今业界体积最小、速度最快的单晶圆 PVD 设备，设计用于以较低的拥有成本开展高性能研发和小批量生产。该系统设计紧凑 (1657mm x 755mm x 1822mm)，包含脱气、预清洁和溅射沉积模块，...

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                  Topaz PVD

                  TOPAZ™ PVD

                  应用材料公司的 Applied Topaz PVD 系统可满足市场对 PLP （面板级封装）不断增长的需求，凭借领先的技术能力，可处理最大尺寸为 600mm x 600mm 的衬底。市场需要更低成本、更高性能的电子产品，而这种需求促使半导体行业从 WLP （晶圆级封装）...

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                  Endura Cobalt

                  钴产品套件

                  应用材料公司不断扩展其在金属化领域的技术领先地位，推出了自 20 年前铜被引入双镶嵌工艺以来在导线和互连领域最重要的材料创新。三种新的沉积工艺，辅以新的退火产品和经过生产验证的 CMP 设备，组成了端到端工艺套件（如下所示），这使得可以使用钴作为导电材料，...

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