PVD 沉积工艺用于为先进晶体管高 k 栅介质/金属栅极生成超薄盖帽层和金属栅极薄膜，也用于在互连结构中形成超薄阻挡膜和种子层。
随着集成电路及其组件继续微缩，组件之间的金属互联线和接触件的尺寸也在缩小。其中一个结果为，这些连接器中的电阻越来越高。为生产更紧凑、更快速的电子器件，必须最大限度地降低电阻，以便能够进一步地微缩。
这种更高的电阻所造成的慢化效应通常被称做阻容延迟（或 RC...
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应用材料公司的 Charger UBM PVD 系统为用于芯片封装的金属沉积生产效率和可靠性确立了新的标准。该 Charger 系统专为 UBM、重新分布层 (RDL) 以及 CMOS 图像传感器应用而设计，其线性架构的晶圆输出是其他同类产品两倍以上，从而提供最高生产效率...
应用材料公司的 Endura ALPS（先进低压源）Cobalt PVD（物理气相沉积）系统为高深宽比结构的栅极和接触孔应用提供简单的高性能金属硅化物解决方案。ALPS 技术将钴延伸至 90nm 技术节点以下，可提供优良的钴底部覆盖，且不会对器件造成等离子损伤，...
Endura Al Slab 物理气相沉积 (PVD) 系统可在逻辑和动态随机存储器 (DRAM) 器件的钨塞上沉积铝材料，以形成金属布线。 该系统可带来极佳的抗电迁移能力和表面形貌，拥有成本低，可靠性高。
Endura PVD Al Slab 系统将...
迄今为止，电离物理气相沉积 (PVD) 已能在所有电镀表面达到所需的覆盖厚度和连续性。但是，当节点小于 2xnm 时，即使采用最优化的阻挡层/种子层工艺，覆盖完好无任何凸悬，也无法控制特征深宽比来满足电镀要求。
Endura Avenir 系统的 RF PVD 解决了 22nm 及以下节点的高 K / 金属栅极应用以及逻辑接触硅化物问题。
对于高 K / 金属晶体管，Avenir 系统为前栅极和后栅极集成方案提供了各种解决方案，...
通过革新用于氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，Endura Cirrus HTX TiN 解决了下一代设备的硬掩膜可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸的进一步缩小，硬掩膜创新对于更复杂微小互连结构的精确图形化至关重要。 借助在 PVD...
EnCoRe II Ta(N) 腔的厚度调优功能使客户能够降低阻挡层的厚度，以便将线性电阻微缩到 3x/2x 节点的水平，同时通过出色的底部和侧壁覆盖层减少电迁移和应力迁移。对于铜晶种层，EnCoRe II RFX Cu 腔采用了创新的磁控运动、磁通量控制和高再溅射比机制...
通过在业内领先的 Endura 平台上集成，该系统的沉积工艺满足了可扩展铜阻挡层和铜铝或铜钨扩散阻挡层的需求。 Extensa TTN 提供了广泛的 PVD 制造能力，无需更改硬件即可在相同的腔体内实现钛、金属氮化钛 (TiN) 和完全氮化的 TiN 沉积，它还适用于...
该系统将Siconi硅化物前处理与PVD钴和TiN帽沉积集成在DRAM外围的直接接触应用中。硅化钴能够最大限度地降低高深宽比外围接触体的电阻，从而能够在更低的电压下产生更高的驱动电流，该技术优于 CVD 硅化钛技术。
微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。
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应用材料公司的 Endura Ventura PVD 系统专为 TSV 金属化而设计，是公司在物理气相沉积 (PVD) 领域的最新创新，使客户能够将其 2D 镶嵌集成基础设施和专门技术扩展到深宽比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介层应用。它也是首个面向 TSV...
该系统以低成本高效的方式利用 ALD（原子层沉积）技术，通过 90% 以上覆盖超薄、均匀、优质的阻挡膜，将客户现有的 iLB PVD/CVD 安装基础扩展至 32nm 及之上。 它在沉积 TiN 膜时将等离子损伤或高介电材料属性不利变化的风险降到最小，...
主动的晶圆温度控制和应力调制便于以低拥有成本和最小的晶粒损失在互联金属与锡铅凸块之间集成。 通过使用 Preclean XT 原位去除有机残留物和自然氧化层，可确保洁净的表面，以便实现低接触电阻和出色的粘附。
