光掩模包含集成电路图形。随着晶体管越来越小，光掩模也越来越复杂，以确保将图形精确转印到硅晶圆上。相应地，光掩模的制作过程日趋先进，即便光掩模存在细微的缺陷，也可能影响晶圆器件的性能。确保光掩模图形准确且零缺陷至关重要，对高端芯片更是如此。
应用材料公司的 Aera4 掩膜检测系统是采用 193nm 工作波长的第四代检测工具，它以独特的方式，将真实空间成像技术与前沿的高分辨率成像技术相结合。
Aera4 系统配备了新的光刻级镜头，在标准的高分辨率应用和空间检测中具有更出色的信噪比，因而成为 1x...
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要达到世界一流水准的光掩膜 CD 均匀度，首先就要确保高质量的光刻胶涂布。在纳米级应用中，很多细微的因素变得重要，包括腔室空气的纯度、温度和湿度，掩模表面的预处理，光刻胶分配和旋涂特性，以及涂胶后烘焙形貌控制。
Sigmameltec 的 CTS...
敏感性掩模材料和掩模使用环境在推动着 193i 和 EUV 光刻中使用的光掩膜清洗方法的发展。掩模清洗工艺已从侵蚀性化学处理演变为更温和的化学制剂结合高频超声波来完成，以去除更小的微粒，获得更洁净的掩模面。
Sigmameltec 的 MRC...
在光掩模制造中使用化学放大型光刻胶，需要严格控制曝光后烘焙 (PEB) 步骤，以完成图形曝光引发的化学反应。最终图形尺寸受烘焙温度和时间的影响，因此烘焙条件必须保持一致且可重复，以确保将曝光工具的 CD 均匀度如实地转印到掩模上。由于烘焙步骤的总热预算对 CD 有显著影响...
在经过严格控制的涂胶、曝光和烘焙工艺处理后，曝光后的光刻胶图案的准确显影，对于保持光掩膜原有的 CD 均匀度至关重要。这需要在掩模表面均匀同步地分配显影液；需要足够的流量来避免显影液损耗，并在所有掩模特征尺寸上实现最佳 CD 线性度；必须隔离各个化学步骤，...
极紫外光 (EUV) 光掩膜用于新式光刻系统中，通过高能、短波长光源，将电路图形转印到晶圆上。EUV 光源的波长约为目前深紫外光刻所用光源波长的十五分之一，从而能够进一步微缩特征尺寸。
EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm...
应用材料公司的 Centura Tetra Z 光掩膜刻蚀系统性能一流，可满足 10nm 及以下逻辑和存储器件的光掩膜刻蚀需求。新系统进一步提升了业内领先的 Tetra 平台的能力，提供了最佳的 CD 性能，以应对先进分辨率增强技术及将浸没式光刻延伸至四重图形曝光。...
