主流與新興技術

 

 

主流技術

 

三維 NAND


材料創新與堆疊工程,實現單元尺寸微縮與效能提升

技術手冊

DRAM → 三維 DRAM


適用於 DRAM 與三維 DRAM 單元微縮和最佳化的材料堆疊工程

技術手冊

FinFET → GAA


HKMG 堆疊工程與量測技術,支援 FinFET 到三維 GAA/奈米片的轉換

技術手冊

 

 

新興技術

 

相變化記憶體


擷取硫化物的完整物理特性,實現相變化記憶體 (PCM) 的微縮

 

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雙向定限

以物理/缺陷為核心的完整模型,為先進記憶體實現雙向定限切換 (OTS) 選取器的最佳化

技術手冊

電阻式記憶體


為人工智慧應用重現離子/空位擴散、化學反應及統計數據

 

技術手冊

鐵電

聚焦材料和原子缺陷,提升鐵電元件 (FeFET、FRAM) 的效能與可靠性

技術手冊

 

突破材料與堆疊工程的挑戰