化合物半导体

化合物半導體是由元素週期表中兩個或更多不同族的化學元素組成，例如三五族 (III–V)。與矽相比，化合物半導體具有獨特的材料特性，例如直接能隙、高崩潰電場和高電子遷移率，從而實現了光子、高速和高功率元件技術。化合物半導體中的電子移動速度比矽中的電子移動速度快得多，因而使處理速度快100倍以上。

矽半導體成就了當今的電子工業，而化合物半導體將推動下一波發展，從5G到機器人技術，至更高效的再生能源以及自駕車。化合物半導體可以發射、感測光線、產生微波、在較低的電壓下運作、對磁敏感並且耐熱。化合物半導體僅消耗當前材料為了儲存、運送、傳輸和檢測數據所需能量的一小部分。

化合物半導體將為物聯網奠定強而有力的基礎，憑藉其更高的功率效率（對於電池供電的設備而言至關重要）和光學性質（新成像技術的感測器，用於聯網汽車、醫療保健和工業應用）。