升級版 Centura Prime Epi 磊晶系統

隨著 AI 快速發展，帶動高頻寬記憶體（HBM）及其他先進記憶體需求激增，DRAM 製造商正面臨更大的技術挑戰—提升周邊電路電晶體效能與整合能力。高頻寬記憶體作為驅動 AI 系統效能的關鍵技術，正加速 DRAM 技術演進，並推動業界導入更先進的磊晶材料工程，包括：應變工程、閾值電壓控制，以及矽鍺（SiGe）、嵌入式矽鍺（eSiGe）與嵌入式磷化矽（eSiP）等先進材料堆疊導入。同時，晶片製造商必須在推進元件微縮的同時，兼顧成本、廠房空間利用率及降低能源消耗等永續發展目標。這些需求的交會，正帶動市場對磊晶解決方案的需求，理想的解決方案必須兼具高生產力、高製程均勻性與高整合效率，以支援先進 DRAM 周邊電路電晶體的製造。

全新專為 DRAM 應用打造的升級版 Centura^™ Prime^™ Epi 磊晶系統，兼具高生產力與更小的機台設備占地面積，以因應上述挑戰。升級版系統採用七面體主機，配置四個磊晶腔體、兩個預清洗腔體及單晶圓真空載入艙，整合雙機械手臂、Clarion^™ 預清洗腔體與高潔淨度晶圓傳輸介面，可提升晶圓傳輸效率與製程穩定性，同時支援先進 DRAM 材料工程技術需求。透過上述創新設計，客戶可在維持次世代 DRAM 周邊電路電晶體微縮的同時，降低整體成本、節省空間並減少能源消耗。Centura Prime Epi 原平台將持續服務於先進邏輯晶片與 ICAPS（物聯網、通訊、汽車、電源和感測器），而此次推出的新配置，則將應用擴展至 DRAM，滿足記憶體周邊電路電晶體的獨特需求。

在應材磊晶產品組合中，原版 Centura Prime Epi 將持續定位於先進邏輯與 ICAPS 應用，而升級版將擴展應用版圖，滿足 DRAM 周邊電路電晶體製造需求。結合 Centura Xtera Epi 等平台，應材提供更完整的磊晶解決方案組合，協助客戶依據不同元件架構與技術節點需求，靈活選擇最適生產配置。對製造商而言，升級版 Centura Prime Epi 可為記憶體技術提供擴充性發展平台。隨著記憶體架構由平面電晶體邁向更先進的垂直式與 3D 架構，更緊密的製程整合與生產效率將成為關鍵競爭力。隨著記憶體技術持續發展，Centura Prime Epi 將幫助客戶更靈活、更有效率地應對未來製程節點轉換與發展需求。