VIISta^® 900 3D

Varian VIISta 900 3D 系統是業界最具指標性的中等強度電流離子佈植設備，適用於 2xnm 節點之上的大量生產製造。此系統的離子束，架構於精確角度和波束形狀控制的專門設計上，以便在邏輯 finFETs 和三維記憶體結構的應用中，精確地佈植摻質並使晶圓內與晶圓間之差異達到最小。這些機台具備的能力也同時有利於 CMOS 圖像感應器技術以及最先進的平面結構。

VIISta 離子束架構平台同時具備世界級認證的微粒控制表現。過濾磁鐵能在源頭就移除多數不需要的離子植入物。獨特的三磁鐵架構可提供最純淨的中等電流系統離子束，在離子束到達晶圓前，可有效地去除金屬、微粒、多價離子等污染物。系統採用垂直角度與離子波束形狀控制相結合的獨特設計，提高了植入精密度及微觀和宏觀的自動回饋均勻度測量，大幅降低了離子植入的變異性。這些控制技術將垂直與水平植入角度的精密度提高到 0.1º，較前一代產品，提升了多達兩倍的精密度。

控制結晶體損傷對三維元件的性能與功耗至關重要。在離子植入過程中，選用已整合於平台的熱植入，可在離子佈植過程中，維持矽的結晶度和高移動率的通道材料的完整度。以更高溫度植入，可消除三維結構中的角落缺陷和生長缺陷，促進摻質之活性，並減少元件上，因缺陷所引起的漏電流。劑量控制讓使用者可以調控出自有的製程條件，進一步減少晶體損傷。

強化的波束形狀和劑量控制，實現了優化的 SuperScan™ 演算功能，可修正及改善因為非離子植入的前製程所產生的不均勻性。SuperScan 3 演算法可對任何想要客製化的離子佈植圖形來提供自訂劑量，且無需旋轉晶圓。

熱植入可整合於全新的VIISta 900 3D機台上，提供了應用於 150mm 與 200mm 碳化矽 (SiC) 晶圓的關鍵技術。SiC 的高密度晶格結構與極高硬度使得摻質難以在植入後擴散。為了最佳化擴散與活性化，系統會加熱 SiC 基板並以獨特的靜電夾具固定同時提供卓越的溫度均勻度並減緩晶圓翹曲程度。選用的 斜角植入功能最大可達 60°，能實現下一代的通道架構。已通過生產驗證的晶圓乘載基座，搭配機台工作點和源極設計，能實現業界內最短的回線維護時間，並達到同級最佳的產能。