VIISta^® 3000XP

VIISta 3000XP 採用廣受好評的瓦里安雙磁鐵單晶圓架構為基礎，提供先進高能量應用所需的精密角度控制。

在 65 奈米以下的技術節點，由於傳統批次高能量植入機的限制，於高能量製程中造成元件效能問題。為達到新生代元件製造所需的精準角度控制、劑量控制以及生產力要求，就必須採用單晶圓架構。VIISta 3000XP 高能植入機亦非常適合用於支援中電流植入機系統。

VIISta 3000XP 高能植入機亦非常適合用於支援中電流植入機系統。此系統具備與市場領先的中電流 VIISta 900XP 相同的單晶圓終端站、劑量量測系統以及晶圓定位系統。