Reflexion^® LK Prime^® CMP

應用材料 Reflexion^® LK Prime™ CMP 系統提升上一代平坦化技術，可在 FinFET 和三維 NAND 應用中達到奈米級精密度。這種精密度是製程中很重要因素，因為閘極高度任何小小變化都會影響元件性能與良率。

Reflexion LK Prime CMP 系統為配備先進製程控制之連續式製程站，具有四副研磨墊、六個拋光頭、八個清潔室，以及兩個乾燥室；此系統可為現今最先進的化學機械平坦化應用帶來精密製程和高產能。Reflexion LK Prime CMP 針對兩研磨步驟之化學機械平坦化應用進行最佳化，同時保持 Reflexion LK CMP 的效能。其更佳的拋光和清潔產出能力（14 個模組，相較於 Reflexion LK CMP 的 7 個），且具最佳化的晶圓處理能力，可在許多應用達到先前晶圓產能的二倍，使生產率提高達 100%。

每個研磨站和清潔站能夠獨立使用，可彈性進行序列、並列或分批製程，並大幅度客製化每個平台。例如，較厚的薄膜層和起伏大的3D NAND 表面形貌需要長時間的穩定研磨。透過在多個平台上進行一系列較短時間的研磨，即可達到穩定、可預測的平坦化處理。這樣做有助進行晶圓效能最佳化，並減少缺陷。與 Reflexion LK CMP 系統一樣，LK Prime 系統也採用最新的拋光、清潔和製程控制技術，確保達到最高等級的效能，以滿足未來的元件技術節點要求。