應材 Producer Precision 選擇性氮化矽電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）系統

自從金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 問世，3D 鰭式場效電晶體（FinFET）的引入，到環繞式閘極（Gate‑All‑Around, GAA）架構的轉型，電晶體經歷了非凡的演進，以滿足最先進半導體技術的需求。環繞式閘極架構的出現，也帶來新的挑戰，例如淺溝槽隔離（Shallow Trench Isolation, STI）氧化層回蝕保護及管理，以及對應這些挑戰所需的嶄新材料解決方案。

Producer Precision^™ 選擇性氮化矽系統是應用材料公司所開發的選擇性、由下而上的氮化矽沉積技術，專為解決先進環繞式閘極電晶體架構中，關鍵的淺溝槽隔離整合挑戰而設計。隨著元件尺寸持續微縮，由於後段製程的侵蝕性增強，維持淺溝槽隔離氧化層的高度與完整性變得愈發困難，進而導致淺溝槽隔離回蝕、寄生電容增加及元件效能下降。Precision 選擇性氮化矽系統透過在溝槽底部沉積氮化矽，有效解決上述問題。它作為穩固的淺溝槽隔離保護層，有助於維持淺溝槽隔離高度、降低寄生電容，並在先進邏輯製程節點實現穩定的元件效能。

進化成環繞式閘極架構的轉型，是電晶體架構創新的重要里程碑，為提升元件效能和能源效率奠定關鍵基礎。為滿足嚴苛的間隙填充需求，創新的材料解決方案至關重要。Precision 選擇性氮化矽製程採用靈活的沉積方式，可實現多種間隙填充應用所需的由下而上沉積。