Centura Xtera Epi

隨著半導體產業持續突破晶片效能的傳統界限,邏輯元件採用環繞式閘極(GAA)電晶體、記憶體則導入垂直 FinFET等3D架構,裝置設計正面臨重塑。這些新的先進結構需要在高深寬比環境中進行精確的磊晶成長。

應用材料公司的Centura™ Xtera™ Epi 是一款突破性的選擇性磊晶平台,專為滿足新一代邏輯和記憶體裝置的需求而設計。Centura Xtera Epi專為因應選擇性磊晶成長中最艱鉅的挑戰而打造,採用創新架構,協助晶片製造商開拓嶄新應用,同時提供低風險、高生產力的解決方案,可無縫擴展至大規模量產。關鍵創新包括:

  • 更緊密的沉積橫截面,強化前驅物補給,提升均勻性和磊晶品質。
  • 最佳化化學傳輸,實現複雜材料磊晶成長所需的精準化學操控。
  • 先進的監控硬體可即時監測與控制晶圓溫度,確保製程穩定性。

Centura Xtera Epi擁有業界最小的磊晶製程體積,開啟製程與材料工程新篇章,協助晶片製造商提升效能,並降低能源與材料消耗。Centura Xtera Epi 已被多家領先的晶圓代工邏輯客戶採用,為磊晶技術樹立新標竿,彰顯應用材料公司致力於開發尖端解決方案,驅動半導體製造未來的承諾。其先進架構不僅奠定未來磊晶製程控制的發展基礎—例如提升徑向氣體濃度與邊緣輪廓管理—也讓製造商能夠在裝置結構日益複雜的狀況下,自信地擴展磊晶製程規模,於新世代節點中持續實現卓越效能、可靠性和效率。

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