化合物半導体

化合物半導体は、元素周期表に載っている元素を2種類以上（たとえばIII族とV族の元素など）組み合わせたものです。化合物半導体は、シリコン（Si）半導体とは異なる材料特性（直接遷移型のエネルギーバンドギャップ、高い最大電界強度、高い電子移動度など）を持つことから、フォトニックデバイス、高速デバイス、ハイパワーデバイスなどの技術に活用されています。化合物半導体は、シリコン半導体に比べて内部の電子移動がはるかに速いため、100倍以上も高速な処理が可能になります。