目前，所有硅芯片都是从芯片正面供电。这需要通过 10 多层布线将电力输送到晶体管。这种方法有两大局限：芯片上宝贵的空间要有一部分分配给电源线，而且电力穿过多层线路到达晶体管时会有损耗。

背面供电是指在半导体芯片或集成电路（IC）的背面而不是传统上的正面布置供电线路的技术。这种方法提高了逻辑制程密度，改善了功率和性能。

要使这些技术满足当今的应用要求，就需要创新的器件架构、开发新的材料、材料的单片和异构集成、更大的晶圆尺寸以及单晶圆加工。200/300毫米晶圆制造技术的不断发展和演进，改善了器件性能和良率，也提升了晶圆厂总体生产效率，所有这些都转化成为半导体制造商的持续出色业绩和成本效益。

背面功率传输将使用晶体管导线和互连工程中使用的许多技术。我们在互连和前端技术领域的领先地位使应用材料公司在推动和加速这项技术的应用方面处于领军的地位。我们的产品组合包括化学机械平坦化 ( CMP )、 电介质沉积 、 刻蚀 、 外延 、 植入 、 退火 、 原子层沉积 (ALD)、金属沉积以及我们的 IMS^™ 能力，这将是实现背面供电传输所需突破的关键 。

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