VeritySEM 20 关键尺寸 (CD) 量测

在半导体器件图形量测领域，CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜）通常被称为“晶圆厂的标尺”，因为它能够提供高精度的亚纳米级量测结果，并将这些量测数据反馈给光刻扫描仪，用于控制和校准光刻过程。光刻扫描仪将掩模上的图形转移到光刻胶上之后，CD-SEM 用于测量线条与间隔等图形的关键尺寸。通过这类量测可持续校准扫描光刻机和工艺制程，以便在刻蚀到晶圆前确保图案正确。随着 EUV，尤其是高数值孔径EUV技术的应用，光刻胶变得越来越薄，器件特征关键尺寸的量测也更具挑战性。与深紫外光相比，可用于曝光的光子数量只有其十分之一，因此需要使用更薄的光刻胶来显影掩模图形。更薄的光刻胶还有助于防止 EUV 光刻形成的高密度线条相互坍塌。转向高数值孔径EUV后，需要进一步减薄光刻胶，以补偿高数值孔径 EUV 扫描仪的景深损失。

应用材料公司的VeritySEM^™ 20 CD-SEM 量测平台专为先进逻辑器件和存储器的关键尺寸量测而设计。该系统采用业界领先的亚纳米级电子束分辨率，可快速获取晶圆上数百个位置的高精度CD量测结果。业界领先的分辨率和扫描速率可加快 EUV 扫描仪的校准，帮助客户缩短工艺配方开发周期、最大限度提升大规模量产阶段的良率，并提高大型光刻设备投资的回报率。较低的着陆能量可最大限度减少电子束与 EUV 及高数值孔径 EUV 所使用的超薄、脆弱光刻胶之间的相互作用，在满足严格量产量测要求的同时保持图形保真度。

VeritySEM 20 提升了对全环栅极 (GAA) 晶体管、DRAM 和 3D NAND 存储器的量测能力。多方向扫描方案能够稳定EUV和高数值孔径EUV层中超薄光刻胶图形的边缘定义，并改善边缘对称性。同时，根据具体应用，系统吞吐量可提升 20% 至 50%，并可将二维结构的匹配一致性提高多达25%。VeritySEM 20 采用改进的腔室污染控制技术，可实现无污染量测，并支持光刻扫描仪长期保持稳定校准。全新的系统架构配备直观的配方创建流程，旨在缩短配方开发时间并提高用户工作效率。同时，基于 AI 的量测优化功能可增强配方稳健性、减少不同用户之间的操作差异，并帮助客户更快确定最终配方参数。

VeritySEM 是 BSE 成像技术的先驱，并配备目前大规模量产中分辨率最高的 SEM 电子光学镜筒。