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半導體

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                  PVD

                  PVD沉積製程是用在先進電晶體採用高介電系數金屬閘極技術時，以及在形成超薄隔絕材料和導線的晶種層時，製造超薄保護層和金屬閘極薄膜。

                  在先進元件中要沉積高均勻度且一致性超薄薄膜愈來愈困難。 應用材料的製程能確保終端裝置能發揮正確優越的電性功能。

                  Endura

                  Endura® CIRRUS™ HT Co PVD

                  隨著積體電路及其組件持續向下微縮，組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。

                  這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...

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                  Axcela PVD

                  AXCELA™ 物理氣相沈積

                  在過去的十年中，同級最佳的 Applied Axcela PVD 系統，已經證明了製程的優越性和穩定性，其不均勻度小於 2％ 1σ。專為將持有成本降到最低和達到對厚 8µm 薄膜的易維護性而設計，每個濺鍍反應室的標準功能是可以沉積三種不同的材料，...

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                  Charger® UBM PVD

                  應用材料的 Charger UBM PVD (凸塊下金屬材物理氣相沉積) 系統為晶片封裝的金屬沉積生產和可靠性所定義的新標準。該 Charger 系統專為 UBM (凸塊下金屬材)、RDL (重佈線路層) 以及 CMOS 影像感測器應用所設計；...

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                  PCRAM System

                  ENDURA® IMPULSE™ PCRAM PVD

                  Applied Endura ® Impulse™ PVD系統是一套具有生產價值的整合式解決方案，適用於相變隨機存取記憶體 (PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 大批量製造 (HVM)。PCRAM 和 ReRAM 是新興的非揮發性記憶體，可以填補...

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                  Endura® ALPS® PVD (ALPS Co & Ni)

                  應用材料的 Endura 先進低壓源 (ALPS) 鈷物理氣相沉積 (PVD) 系統針對高深寬比結構中的閘極和觸點，提供簡單、高效能的矽化層解決方案。ALPS 技術將鈷延伸應用在 ≤90nm 以下技術節點，可提供優異的鈷底部覆蓋，且電漿不會對元件造成損壞，缺陷數量極少。...

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                  Endura® Amber™ PVD

                  迄今為止，離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過，若超過 2xnm 節點，即使是最佳化的阻障層/晶種製程，且具有均勻覆蓋和無任何懸突，還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。

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                  Endura® Avenir® RF PVD

                  Endura Avenir 系統的射頻物理氣相沉積技術可解決高介電/金屬閘極應用以及 22 奈米和以上的邏輯接觸點矽化問題。

                  Avenir 系統針對高介電常數/金屬電晶體提供前閘極和後閘極積體製程方案，讓晶片製造商能在兩種方式之間輕鬆轉換。對於前閘極，...

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                  Endura® Cirrus™ HTX PVD

                  Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術，能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。 隨著晶片線寬尺寸不斷縮小，硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。 新系統運用多年的 PVD...

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                  MRAM

                  Endura® Clover™ MRAM PVD

                  Applied Endura Clover MRAM PVD 系統是第一套具有生產價值的整合式平台，可用於量產 (HVM) 磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 裝置。快閃記憶體正面臨與其基於電荷作業相關的縮放極限；MRAM 是最具潛力的替代品，...

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                  Endura® CuBS RFX PVD

                  EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力，讓客戶能降低線路阻障厚度，以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點，同時通過出色的底部和側壁覆蓋率，減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層，EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、...

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                  Endura® PVD

                  應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力，例如鈷和鎢；鋁和銅互連；以及其封裝應用（例如凸點下金屬化），過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。

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                  Endura® Ventura™ PVD

                  應用材料公司的 Endura Ventura PVD 系統專為TSV 金屬化而設計，是公司在物理氣相沉積 (PVD) 領域的最新創新，使客戶能夠將其 2D 鑲嵌積體基礎設施和專門技術擴展到深寬比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介層應用。這也是首個針對 TSV 的...

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                  Endura

                  Endura® Versa™ XLR2 W PVD

                  隨著積體電路及其組件持續向下微縮，組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件，連接組件必須維持最小電阻，元件才可能進一步微縮。

                  這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...

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                  Endura® iLB™ PVD/ALD

                  本系統採以 ALD (原子層沉積) 技術為主的經濟效益方式，提供覆蓋率達 90% 以上超薄、均勻、優質阻障薄膜，將客戶目前安裝的 iLB PVD/CVD 系統製程水準擴展至 32 奈米及更先進節點。 此系統沉積氮化鈦薄膜時，電漿損害或高介電值材料特性的不良改變等風險都很小...

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                  Endura® 凸塊下金屬化 PVD

                  有效的晶圓溫度控制和壓力調變能使導線金屬和焊接凸點之間整合，並達到低擁有成本…採用 Preclean XT 進行有機殘留物和原生氧化層的原位同步移除，可確保表層乾淨並促進低接觸電阻和絕佳的附著性。

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                  Pika PVD

                  PIKA™ 氣相物理沈積

                  Applied Pika 氣相物理沈積系統是現今業界最小、最快的單晶圓氣相物理沈積設備，專為想要以低持有成本，從事高效研發和小量生產而設計。精巧的系統（1657mm x 755mm x 1822mm）結合了脫氣、預清潔和濺射沉積模組，...

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                  Topaz PVD

                  TOPAZ™ 物理氣相沈積

                  Applied Topaz 物理氣相沈積系統適用於持續增長的 PLP 面板級封裝市場，在最大達 600mm x 600mm 的基板上展現領先業界的尖端能力。由於對低成本和卓越性能電子產品需求，促使業界從 WLP晶圓級封裝 轉換到 PLP面板級封裝。PLP...

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                  Endura Cobalt

                  鈷產品套件

                  Applied Materials 自 20 年前推出雙鑲嵌製程以來，仍繼續擴大公司在金屬領域的領導地位，並在接觸點與導線領域推出重大的材料創新。三種最新沉積製程輔以新的退火產品和經過生產驗證的 CMP 設備，構成端到端製程套件（如下所示），以實現使用鈷作為導電材料，...

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