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PVD沉積製程是用在先進電晶體採用高介電系數金屬閘極技術時,以及在形成超薄隔絕材料和導線的晶種層時,製造超薄保護層和金屬閘極薄膜。
在先進元件中要沉積高均勻度且一致性超薄薄膜愈來愈困難。 應用材料的製程能確保終端裝置能發揮正確優越的電性功能。
隨著積體電路及其組件持續向下微縮,組件之間的金屬導線和接觸點的尺寸也在縮小。這種趨勢造成這些連接組件的電阻越來越高。為生產更精小、更快速的電子元件,連接組件必須維持最小電阻,元件才可能進一步微縮。
這種較高電阻所造成的慢化效應通常稱作阻容延遲 (即 RC 延遲...
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在過去的十年中,同級最佳的 Applied Axcela PVD 系統,已經證明了製程的優越性和穩定性,其不均勻度小於 2% 1σ。專為將持有成本降到最低和達到對厚 8µm 薄膜的易維護性而設計,每個濺鍍反應室的標準功能是可以沉積三種不同的材料,...
應用材料的 Charger UBM PVD (凸塊下金屬材物理氣相沉積) 系統為晶片封裝的金屬沉積生產和可靠性所定義的新標準。該 Charger 系統專為 UBM (凸塊下金屬材)、RDL (重佈線路層) 以及 CMOS 影像感測器應用所設計;...
Applied Endura ® Impulse™ PVD系統是一套具有生產價值的整合式解決方案,適用於相變隨機存取記憶體 (PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 大批量製造 (HVM)。PCRAM 和 ReRAM 是新興的非揮發性記憶體,可以填補...
應用材料的 Endura 先進低壓源 (ALPS) 鈷物理氣相沉積 (PVD) 系統針對高深寬比結構中的閘極和觸點,提供簡單、高效能的矽化層解決方案。ALPS 技術將鈷延伸應用在 ≤90nm 以下技術節點,可提供優異的鈷底部覆蓋,且電漿不會對元件造成損壞,缺陷數量極少。...
迄今為止,離子化物理氣相沉積 (PVD) 能夠達到電鍍所需的厚度和所有表面覆蓋的連續性。不過,若超過 2xnm 節點,即使是最佳化的阻障層/晶種製程,且具有均勻覆蓋和無任何懸突,還是會對電鍍造成無法控制的線寬深寬比。
Endura Avenir 系統的射頻物理氣相沉積技術可解決高介電/金屬閘極應用以及 22 奈米和以上的邏輯接觸點矽化問題。
Avenir 系統針對高介電常數/金屬電晶體提供前閘極和後閘極積體製程方案,讓晶片製造商能在兩種方式之間輕鬆轉換。對於前閘極,...
Endura Cirrus HTX TiN 具備革命性的物理氣相沉積 (PVD) 氮化鈦 (TiN) 薄膜技術,能解决下一代元件的硬光罩可延展性難題。 隨著晶片線寬尺寸不斷縮小,硬光罩創新對於更複雜微小的導電層結構的精確圖案化至關重要。 新系統運用多年的 PVD...
Applied Endura Clover MRAM PVD 系統是第一套具有生產價值的整合式平台,可用於量產 (HVM) 磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 裝置。快閃記憶體正面臨與其基於電荷作業相關的縮放極限;MRAM 是最具潛力的替代品,...
EnCoRe II Ta(N) 反應室具有可調整厚度的能力,讓客戶能降低線路阻障厚度,以便將線路電阻微縮到 3x/2x 節點,同時通過出色的底部和側壁覆蓋率,減少電遷移和應力遷移。針對銅晶種層,EnCoRe II RFX 銅反應室採用創新的磁控動作、...
應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力,例如鈷和鎢;鋁和銅互連;以及其封裝應用(例如凸點下金屬化),過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。
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應用材料公司的 Endura Ventura PVD 系統專為TSV 金屬化而設計,是公司在物理氣相沉積 (PVD) 領域的最新創新,使客戶能夠將其 2D 鑲嵌積體基礎設施和專門技術擴展到深寬比 ≥10:1 的 TSV 和 2.5D 中介層應用。這也是首個針對 TSV 的...
本系統採以 ALD (原子層沉積) 技術為主的經濟效益方式,提供覆蓋率達 90% 以上超薄、均勻、優質阻障薄膜,將客戶目前安裝的 iLB PVD/CVD 系統製程水準擴展至 32 奈米及更先進節點。 此系統沉積氮化鈦薄膜時,電漿損害或高介電值材料特性的不良改變等風險都很小...
有效的晶圓溫度控制和壓力調變能使導線金屬和焊接凸點之間整合,並達到低擁有成本…採用 Preclean XT 進行有機殘留物和原生氧化層的原位同步移除,可確保表層乾淨並促進低接觸電阻和絕佳的附著性。
Applied Pika 氣相物理沈積系統是現今業界最小、最快的單晶圓氣相物理沈積設備,專為想要以低持有成本,從事高效研發和小量生產而設計。精巧的系統(1657mm x 755mm x 1822mm)結合了脫氣、預清潔和濺射沉積模組,...
Applied Topaz 物理氣相沈積系統適用於持續增長的 PLP 面板級封裝市場,在最大達 600mm x 600mm 的基板上展現領先業界的尖端能力。由於對低成本和卓越性能電子產品需求,促使業界從 WLP晶圓級封裝 轉換到 PLP面板級封裝。PLP...
Applied Materials 自 20 年前推出雙鑲嵌製程以來,仍繼續擴大公司在金屬領域的領導地位,並在接觸點與導線領域推出重大的材料創新。三種最新沉積製程輔以新的退火產品和經過生產驗證的 CMP 設備,構成端到端製程套件(如下所示),以實現使用鈷作為導電材料,...