磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。
應用材料公司的 Centura Epi 系統是經過全球生產驗證的 ~900 200mm 反應室、單晶圓、多反應室磊晶矽沉積系統。每個採用輻射加熱的製程反應室均可以提供精確和可重複的沉積條件控制，並可以實現完全無滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和電阻率均勻性，以及低缺陷水平。...
View product detail
CMOS 技術需要兩種類型的電晶體：PMOS和NMOS。前者可受益於向通道施加壓縮應變 (擠壓晶格)，這不僅可以縮短縱距、增強原子間的鍵結耦合，而且促進電洞遷移。NMOS 則需要伸長應變 (拉長晶格)，以便增加縱距並減低會影響遷移之電子碰撞...
