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化合物半導體

化合物半導體由屬於元素週期表中兩個或多個不同基團的化學元素組成,例如三五族 (III-V)。與矽相比,化合物半導體具有獨特的材料特性,例如直接能帶隙、高擊穿電場和高電子遷移率,從而實現了光子、高速和高功率元件技術。化合物半導體中的電子移動速度比矽中的電子移動速度快得多,進而使處理速度快100倍以上。

當矽半導體成就了當今的電子工業,化合物半導體將推動下一波發展,從5G到機器人技術、更高效的再生能源以及自駕車。這些半導體可以在較低的電壓下運作、發射和感測光線、產生微波、對磁敏感並且耐熱。它們僅消耗當前材料儲存、路徑、傳輸和檢測數據所消耗能量的一小部分。

化合物半導體將憑藉其更高的功率效率(對於電池供電的設備而言至關重要)和光學特性(用於聯網汽車、醫療保健和工業應用中的新成像技術的感測器),為仰賴於5G的物聯網奠定基礎。其他應用包括LED(砷化鎵)和雷射(磷化銦);功率元件(例如功率MOSFET和二極體)正在轉為用碳化矽和氮化鎵,以實現更好的性能。

化合物半導體中的電子移動速度比矽中的電子移動速度快得多,進而使處理速度快100倍以上。