化合物半導體由屬於元素週期表中兩個或多個不同基團的化學元素組成，例如三五族 (III-V)。與矽相比，化合物半導體具有獨特的材料特性，例如直接能帶隙、高擊穿電場和高電子遷移率，從而實現了光子、高速和高功率元件技術。化合物半導體中的電子移動速度比矽中的電子移動速度快得多，進而使處理速度快100倍以上。
碳化矽（SiC）是用於高速應用的新興材料之一。然而，其透明性使得晶片處理特別苛刻。DXZ CVD系統配備了強化功能，可以可靠而謹慎地處理碳化矽（ SiC）晶圓，從承載器晶圓定位到明確的晶圓定向再到晶圓擺放。
Centura DXZ系統設計顯著改善了成本（...
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Centura 的單晶圓、多反應室架構支持多達四個製程反應室的整合、連續晶圓加工。應用材料公司的 Centura DPS Plus 是公認的鋁蝕刻產業標竿。Applied Centura DPS-DTM是用於SiC的先進深反應式離子蝕刻系統，可在實現高產量的同時，...
在佔地緊湊的情況下，可以在經過生產驗證的Centura平台上安裝最多三個Ultima HDP CVD腔室，實現高達40 WPH的產量。製程反應室不使用任何易耗損部件，且其遠端電漿清潔製程不需要蓋片即可保護靜電吸盤。
應材的 Endura 平台是半導體產業有史以來最成功的金屬化系統。透過其跨越了前端金屬化的沉積能力，例如鈷和鎢；鋁和銅互連；以及其封裝應用（例如凸點下金屬化），過去20年製造的絕大多數微晶片都是使用迄今已交付的10,000多種Endura系統之一所生產的。
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Applied Producer平台全球出貨數千套系統，是業界最具成本效益的晶圓製程產品。其創新的雙反應室結構可同時處理多達六個晶圓，達到優越的生產力。該平台配備了強化功能，能可靠而謹慎地處理碳化矽（ SiC）晶圓，從承載器晶圓定位到明確的晶圓定向再到晶圓擺放。...
