ALD 是當今最先進的平面元件及產業轉型至三維架構的關鍵推手。應用材料 ALD 系統會以一次產生一小部份單層的方式，在晶圓上面沉積各類氧化物、金屬氮化物和金屬物，並在先進的電晶體、記憶體和導線應用中建立多個超薄層。
鎢的電阻率低，電遷移性極小，長期以來一直運用在邏輯製程和記憶體元件中，用作填充接觸點和中段 (最底層) 的導電層連接 (將電晶體與積體電路其餘部分相連) 的首選材料。在早期技術中，由於元件尺寸較大，因而可以使用 CVD 均勻沉積法進行鎢填充整合。不過，在當前最先進的技術下...
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製程持續微縮推動元件效能邁向全新水準。ALD 技術對製造DRAM、三維 NAND 和邏輯 FinFET 中越來越多的步驟至關重要。雖然使用 ALD 製程達到均勻一致的薄膜厚度，對臨界線寬控制仍然很重要，但 ALD 必須達到更多需求，...
