退火产品广泛用于半导体器件制造中，用以改变材料的电学或物理特性（电导率、介电常数、致密性以及减少污染）。
在 DPN HD 氮化工艺中，使用低能量脉冲等离子向氧化硅介电层注氮，以在栅叠层的氮氧化硅/多晶硅界面层形成所需的高氮浓度，在硅/氮氧化硅界面层形成低氮浓度，从而保持较高的沟道迁移率。新的化学材料和直接高温晶圆加热工艺，可生成更多剂量的氮来满足 3X 和 2Xnm...
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随着关键尺寸不断缩小，小结构的图形化所需的工序数量增加，因此产生了对多个图形化层进行处理的需求。靶向处理可改良图形化膜，以提高其在多图形化方案中的刻蚀选择比。另外，金属回流技术对于填充高深宽比特征变得至关重要。其目的是对金属层进行处理，以促进无孔洞、大晶粒金属的生长，...
Vantage Astra DSA（动态表面退火）系统是应用材料公司首个采用激光技术的退火机床，可提供无以伦比的性能，满足机台持续扩展所必需的先进硅化工艺需求。它实现了先进 finFET 器件的接触电阻缩放。应用材料公司凭借 Astra DSA 技术在快速热处理 RTP...
先进的器件缩放，需要更薄、更优质的低漏电、高可靠度氧化层，以及更低的热预算和更严格的工艺控制。应用材料公司的 Vantage RadOx RTP 利用其自由基氧化反应，能够以低热预算生长高密度、高质量的氧化层。
该系统的创新技术能够突破关键氧化工序（...
应用材料公司的 Vantage RadiancePlus RTP 系统是业界领先的高生产效率解决方案，也是将世界一流的 RTP 腔室技术与经过生产验证的低拥有成本平台相结合的高产量常压 RTP 应用。它采用流线型设计，便于作为单一机台运输，从而能够更快启动和投产。...
在 32/28nm 及以下节点，尖峰退火工艺面临的主要挑战是，如何最大限度减少晶粒内的辐射能量吸收变化所引起的温度偏差。这种温度偏差现象被称为图形负载效应 (PLE)。Vulcan 系统“彻底改变了技术”，在晶圆下方使用加热灯达到极佳的加热均匀性，...
