快速热处理在半导体器件制造中频繁使用，例如用于激活注入的掺杂剂或改变材料的状态（或相）来增强所需的属性（例如导电性能）。均温退火、尖峰退火、毫秒退火和快速干氧化等热处理技术适用于不同的应用。
在 DPN HD 氮化工艺中，使用低能量脉冲等离子向氧化硅介电层注氮，以在栅叠层的氮氧化硅/多晶硅界面层形成所需的高氮浓度，在硅/氮氧化硅界面层形成低氮浓度，从而保持较高的沟道迁移率。新的化学材料和直接高温晶圆加热工艺，可生成更多剂量的氮来满足 3X 和 2Xnm...
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As CDs continue shrinking, the number of steps needed to pattern small structures is increasing, thus creating the need for treatments...
Astra DSA 系统在设计时充分考虑了生产效率、设备紧凑度和可靠性，具有极佳的拥有成本优势，可提供所需的生产价值，这对此类退火工艺而言至关重要。
该系统的创新技术能够突破关键氧化工序的缩放障碍，如存储器栅极氧化层、浅沟槽隔离衬垫氧化层、牺牲氧化层、侧壁氧化层、闪存隧道氧化层和ONO 叠层。RadOx 搭载于经过生产验证的高生产效率 Vantage 平台，可在行业领先的 Radiance 腔室中，...
该系统利用成熟的 Radiance 腔室技术：蜂巢灯源、七点温度测量、100 Hz 闭环控制和 240 rpm 晶圆旋转。其优化的硬件和温度控制为注入和其他退火提供了无与伦比的尖峰退火均匀性，以及更宽泛的低温硅化物处理。
除了优异的温度均匀性，该系统还提供从超低温到超高温（150°C-1300°C）的大工艺范围。因此，它结合了其前身VantageRadiance®PlusRTP系统的先进尖峰功能，具有多功能性，可用于附加步骤，如次秒钟退火，超低温退火和各种金属退火。其“快速尖峰”...
