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存储

在摩尔定律应验近 40 年后,通过减少特征尺寸(微缩)来提高传统二维存储芯片的储存容量变得愈发困难。

例如,先进的 25 纳米闪存存储芯片使用约 100 个电子来储存一个位元的信息。 在超过数百万计的读/写周期内可靠地使用这些电子,是一项重大的挑战,也是一项了不起的成就。

为了在不减小位元尺寸的前提下进一步提高储存密度,制造商在制造 DRAM 和 NAND 闪存芯片上,转向开发新式的更多堆叠架构。应用材料公司开发出了能实现这项重大设计变动的系统,使制造商能够生产高度可靠、低成本的存储芯片,用于固态硬盘及其他存储密集型移动应用。

下一代 DRAM

传统 DRAM 设计采用其控制电路和地址线来环绕每个存储电容器。 为了在每个芯片上封装更多的位元,领先的存储设备制造商将地址线埋入晶圆的电容器下面。 应用材料公司拥有可实现这种新方法的全套制造系统,能够解决这项新设计带来的挑战。

下一代 NAND 芯片

由于传统闪存存储单元的进一步微缩己愈来愈不可行,很多领先的制造商正着手开发所谓的“3D 堆叠式 NAND”技术。 多重 2D 存储阵列是以层层相叠方式来制造,因此能增加芯片容量而不需要减少每个单元的大小。 应用材料公司 应用材料公司的创新系统帮助闪存存储制造商实现这项令人兴奋的新技术。