化合物半导体由属于元素周期表中两个或多个不同基团的化学元素组成，例如III-V。与硅相比，化合物半导体具有独特的材料特性，例如直接能带隙，高击穿电场和高电子迁移率，从而实现了光子、高速和高功率器件技术。化合物半导体中的电子移动速度比硅中的电子移动速度快得多，从而使处理速度提升100倍以上。
在新的 200mm 技术上，应用材料公司 Centura 刻蚀反应器解决了以下难题：MEMS 深宽比 >100:1 的硅刻蚀、SJ MOSFET 一体化硬掩模开槽带以及面向 LED 和功率器件的氧化铟锡和氮化镓等新材料。目前，约有 2,000 台 Centura...
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微机电系统 (MEMS)、CMOS 图像传感器和封装技术（如硅通孔 (TSV)）领域的新兴应用，正在推动氮化铝 (AlN)、氧化铟锡 (ITO)、氧化铝 (Al2O3) 和锗 (Ge) 等薄膜的 PVD 发展。
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应用材料公司的 Producer 系统全球销量愈 3,000 套，是业内最具成本效益的晶圆加工平台。该平台采用创新的 Twin Chamber 架构，最多可同时处理六个晶圆，达到极佳的生产效率。
碳化硅（SiC）是新兴的用于高速应用的材料。然而，其透明性使得晶圆处理变得特别严苛。DXZ CVD系统配备了增强的功能，能可靠而细致地处理碳化硅（SiC）晶圆，包括从Loadlock的晶圆映射，到清晰的晶圆定向，再到晶圆放置。
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