ALD 是当今最先进的平面器件及行业转向 3D 架构的关键推动因素。应用材料公司的 ALD 系统可在晶圆上面沉积各类氧化物、金属氮化物和金属物，每次沉积单层厚度的几分之一，以在先进晶体管、存储器件和互连应用中制造超薄薄膜层。
钨的电阻率低，电迁移性极小，长期以来一直在逻辑和存储器件中用作接触孔和中段（最底层）连接线（将晶体管与集成电路其余部分相连）的首选填充材料。在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，因而可以使用共形 CVD 沉积法进行钨填充集成。不过，在当前最先进的技术节点下，...
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持续的工艺缩放将器件性能不断推向新的水平。ALD技术对 3D NAND 和逻辑 FinFET 制造中越来越多的步骤至关重要。然而，尽管借助 ALD 所实现的保形性和一致的薄膜厚度对于 CD 控制仍然至关重要，但也对 ALD 提出了新的要求，...
