Sym3 Zマグナムエッチング

AI と高性能コンピューティングにより、デバイス アーキテクチャがゲートオールアラウンド (GAA)設計、さらにはCFET設計へと進むにつれ、高度なロジックのパフォーマンスは、ソースおよびドレインのキャビティ成形の精度にますます依存するようになります。これらのキャビティは、ボイドフリーのエピタキシーをサポートし、ナノシートとエピの接触を最大化するために、高度に垂直な側壁、均一な寸法、および長方形の底部で形成する必要があります。キャビティ プロファイルまたは深さの変動における小さな偏差により、エピタキシャル成長が妨げられ、駆動電流が減少する可能性があるため、キャビティ エッチングは GAA 製造において最も敏感でパフォーマンスが重要なステップの 1 つになります。

Sym3^™ Z Magnum^™エッチング システムは、高度なプラズマ アーキテクチャと、独立した RF バイアス制御と組み合わせた第 2 世代のパルス電圧テクノロジー (PVT2) により、これらのスケーリングの課題に直接対処します。Sym3 Z Magnum は、ウェーハの近くでプラズマを生成し、高度に制御されたイオンエネルギーを供給することで、業界をリードする垂直性、底面形状の定義、および Si/SiGe 選択性を実現します。これらの機能により、フィーチャ間の深さのばらつきが最小の均一な長方形底の S/D キャビティが実現し、ナノシートの一貫性が向上し、最先端ノードでのトランジスタ性能がサポートされます。Sym3 Z ファミリは、すでに主要なファウンドリ、ロジック、メモリの顧客によって、重要なキャビティエッチング工程に広く採用されています。

トランジスタ アーキテクチャがより狭いピッチ、より深いキャビティ、より 3D 統合されたデバイス構造へと進化するにつれて、エッチング精度とプロファイル制御に対する要求はますます厳しくなります。Sym3 Z Magnum システムは、GAA、CFET、高度なメモリ アプリケーションに拡張可能なアーキテクチャを備え、これらの将来の要件を満たすように設計されています。Sym3 ファミリの歴史的な成功（Applied 史上最も急速に成長した製品ライン）を基に構築された Sym3 Z Magnum は、ロジックのスケーリングを次世代に拡張するために必要なパフォーマンス基盤を提供します。