Sym3 Z Magnum 식각 시스템 

AI와 고성능 컴퓨팅 확산으로 반도체 소자 아키텍처가 게이트올어라운드(GAA)에서 나아가 CFET 구조로 진화하면서, 첨단 로직 성능은 점점 소스 및 드레인(S/D) 캐비티 형상의 정밀도에 점점 더 의존하고 있습니다. 이러한 캐비티는 수직에 가까운 측벽, 균일한 치수, 직사각형 바닥 형상으로 형성되야 하며, 이를 통해 공극 없는 에피택시 성장을 구현하고 나노시트와 에피 간 접촉을 극대화합니다. 캐비티 프로파일의 미세한 편차나 균일하지 않은 깊이만으로도 에피택시 성장이 저해되고 구동 전류가 감소할 수 있어, 캐비티 식각 공정은 GAA 제조에서 가장 민감하고 성능에 결정적인 단계 중 하나로 꼽힙니다.

Sym3™ Z Magnum™ Etch (Sym3 Z 매그넘 식각) 시스템은 첨단 플라즈마 아키텍처와 독립적인 RF 바이어스 제어가 결합된 2세대 펄스 전압 기술(PVT2)을 통해 이러한 미세화 과제를 직접적으로 해결합니다. 웨이퍼 인근에서 플라즈마를 생성하고 이온 에너지를 정밀하게 제어함으로써, 업계 최고 수준의 수직도, 바닥 형상 정밀도, 그리고 Si/SiGe 선택비를 구현합니다. 이를 통해 피처 간 깊이 편차가 최소화된 균일한 직사각형 바닥의 소스 및 드레인(S/D) 캐비티 형성이 가능해지며, 나노시트 균일성을 향상시키고 첨단 노드에서 트랜지스터 성능을 안정적으로 지원합니다. Sym3 Z 제품군은 이미 주요 파운드리, 로직 및 메모리 고객사에서 핵심 캐비티 식각 공정용으로 폭넓게 채택되고 있습니다.

트랜지스터 아키텍처가 더 촘촘한 피치, 더 깊은 캐비티, 더욱 고도화된 3차원 집적 구조로 진화함에 따라, 식각 정밀도와 프로파일 제어에 대한 요구 수준도 한층 강화될 것입니다. Sym3 Z Magnum 시스템은 GAA, CFET, 첨단 메모리 공정 전반에 걸쳐 확장 가능한 아키텍처를 바탕으로 이러한 미래 요구에 대응하도록 설계되었습니다. 어플라이드 머티어리얼즈는 역사상 가장 빠르게 시장에 확산된 Sym3 제품군의 성공을 토대로, Sym3 Z Magnum은 로직 스케일링을 차세대 노드까지 지속하기 위해 필요한 핵심 성능 기반을 제공합니다.