Centura^® Epi 200mm

為支持不斷變化的功率和 MEMS 元件要求，元件製造商把更厚的磊晶層作為目標。隨著薄膜厚度進入 150µm 範圍，以及對電阻率（薄層電阻）均勻性、缺陷密度、厚度和微粒效能更嚴格的製造公差要求，市場正從批量加工向單晶圓加工過渡。

應用材料公司 Centura Epi 系統是經過生產驗證的單晶圓、多室磊晶矽沉積產品。每個採用輻射加熱的製程反應室均可以提供精確和可重複的沉積條件控制，並可以實現完全無滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和電阻率均勻性，以及低缺陷水平。憑藉廣泛的溫度和壓力特性、出色的溫度均勻性以及靈活的氣體面板配置，Centura Epi 系統可支持先進的低溫磊晶和多晶沉積製程，包括鍺和矽鍺。為提供出色的同步反應室清潔效能進行硬件優化，所以該系統能夠實現市場領先的產能密度和低擁有成本 。

應材的 200mm Centura Epi 平台現可搭置 Siconi 預清潔反應室。由於RF 與光電等新興應用出現，使的市場對於處理傳統 CMOS 節點的低溫 Epi 製程需求不斷提升。而預清潔技術的出現，即是為了因應此趨勢。Siconi 預清潔技術可低溫清除原生氧化物，因此可減少磊晶製程的熱流預算並降低因等候時間差異導致的製程變異。

應材現提供兩種 Epi 技術：適用於全區覆蓋式輕厚薄膜的大氣 (ATM) 技術，以及適用於溝槽填充的降壓 (RP) 技術。Centura Pronto ​ATM Epi 高成長率反應室補強了應材現有的 ATM 與 RP Epi 反應室。在單一 150/200mm 反應室 (單次直通 <20μm 至 150μm) 即可實現輕厚薄膜的成長，生產力極高，且成長率可達 6μm/minute。此系統可提高中心至邊緣的一致性，與晶圓至晶圓對晶圓的可重複性，藉此提升晶圓上效能。