Centura^® Epi 200mm

为支持不断变化的功率和 MEMS 器件要求，器件制造商把更厚的外延层作为目标。随着薄膜厚度进入 150µm 范围，以及对电阻率（薄层电阻）均匀性、缺陷密度、厚度和微粒性能更严格的制造公差要求，市场正从批量加工向单晶圆加工过渡。

应用材料公司的 Centura Epi 系统是经过全球生产验证的 多反应腔室外延硅沉积系统。每个采用辐射加热的工艺腔室均可以提供精确和可重复的沉积条件控制，并可以实现完全无滑移的薄膜、出色的薄膜厚度和电阻率均匀性，以及低缺陷水平。凭借宽泛的温度和压力特性、出色的温度均匀性以及灵活的气体面板配置，Centura Epi 系统可支持先进的低温外延和多晶沉积工艺，包括锗和硅锗。此外，能够配置多达三个工艺腔室和经过优化的硬件，以实现卓越的原位腔室清洁，从而提供市场领先的吞吐量密度和较低的拥有成本。

应用材料公司的 200 毫米 Centura Epi 平台现在可以配置 Siconi 预清洗腔。在射频和光子等新兴应用的推动下，市场对传统 CMOS 节点低温外延工艺的需求日益增长，Siconi 预清洗技术的开发，正是为了满足这一市场需求。Siconi 预清洗技术可实现低温原生氧化物去除，从而减少外延工艺的热预算，并减轻等候时间变动所造成的工艺偏差。

应用材料公司提供两种外延技术：适用于薄的和厚的覆盖膜的常压外延技术（ATM）；适用于沟槽填充应用的低压外延技术（RP）。应用材料公司的 Centura Pronto​ ​ATM Epi 高生长速率腔室是对现有的 ATM 和 RP 外延腔室的补充，可以在 150/200mm 单室中生长厚膜和薄膜（单次生长 <20μm 到 150μm），生产效率高，生长速率达到每分钟 6μm。该系统提高了中心到边缘的均匀性及晶圆到晶圆的可重复性，从而改善了在片性能。