センチュラ エクステラ エピ

半導体業界でチップ性能の限界への挑戦が続く中、ロジック用のGate-All-Around(GAA) トランジスタやメモリ用の垂直FinFETなどの 3D アーキテクチャへの移行が進み、デバイス設計のあり方が変化してきています。これらの新しい先端デバイス構造を実現するには、高アスペクト比環境下での高精度なエピタキシャル成長が必要となります。

アプライド マテリアルズのCentura ™ Xtera ™ Epi は、次世代ロジック／メモリ デバイスに求められる要件を満たす設計の画期的な選択エピタキシャル成長プラットフォームです。Xteraは、選択エピタキシャル成長の最大の課題に対処するために特別設計された装置で、その革新的なアーキテクチャにより、チップメーカーが新たな応用技術を実現すると同時に量産体制へのシームレスな移行を支援する低リスクで生産性の高いソリューションを提供します。主な技術革新は以下のとおりです。

• 成膜の断面積をより小さくすることで、前駆体のが促進され、成膜の均一性やエピタキシャル成長の品質が向上します。
• 化学材料供給系を最適化し、複雑材料のエピタキシャル成長に必要な化学反応の精密制御を可能にします。
• プロセスの安定性を確保するために、リアルタイムのウェーハ温度監視と制御を提供する高度な監視ハードウェア

業界最小の低容量チャンバを実現したXteraは、プロセス技術や材料工学の新たな可能性を拓き、性能向上と省エネルギー・材料費削減の両立を目指すチップメーカーを力強く支援します。Xteraは、すでに大手ロジック／メモリチップメーカーに採用されており、エピタキシャル成長技術の新たな標準を打ち立てています。これは、最先端のソリューションを提供し、 半導体製造の未来を牽引するというアプライド マテリアルズのコミットメントを体現した装置です。その先進的なアーキテクチャは、半径方向ガス濃度やウェーハのエッジプロファイルなど、今後のエピタキシャルプロセス制御技術開発の基盤となるだけでなく、デバイス構造のがますます複雑化する中でも、エピタキシャル成長プロセスを安定した量産体制への拡張を支え、複数世代のプロセスノードにわたって、一貫した性能、信頼性、効率性を実現します。