プロデューサー：Viva Radical Treatment

AI と高性能コンピューティングによってトランジスタアーキテクチャの形状がさらに微細化されるにつれ、デバイスのパフォーマンスはシリコンチャネル自体の物理的状態によってますます制限されるようになります。ゲートオールアラウンド (GAA)トランジスタ構造のナノシートには、極めて滑らかで純粋なナノシート表面が求められます。わずか数オングストロームの粗さと不純物によって、インターフェーストラップ密度が生じ、キャリア移動度と全体的なトランジスタ速度が低下する可能性があります。

Applied Materials Producer^™ Viva^™ ラジカル処理システムは、これらのナノシート表面のオングストロームレベルの精密エンジニアリングを通じて、この課題に直接対処します。Vivaの核となるのは、特許取得済みのイオンフリーラジカル送達構造です。 反応性の純粋なラジカル種を生成し、その等方性により、深く埋め込まれた非視線トランジスタ構造において均一かつ高度に適合した表面処理が可能になり、同時にイオンプラズマ関連の構造的損傷が排除されます。

ラジカル種により、ナノシート表面での原子シリコンの移動に必要な表面エネルギー要件が低減され、不要な不純物が除去されるため、プラズマ分離独立制御マルチゾーンヒーターにより表面反応速度論が最適化され、ナノシート材料の望ましくない損失を防ぐことができます。Viva システムは、独立した表面運動制御を備えた穏やかで純粋なラジカルプロセスを提供することで、チャネルを滑らかにし、インターフェーストラップ密度を減らし、GAA ナノシートの物理的な表面状態を改善するだけでなく、これらの繊細で複雑な 3D 構造の構造的完全性も確保します。

ロジック設計がFinFETから GAA へ、そして最終的には CFET などのより高度なデバイス アーキテクチャへと移行するにつれて、チャネル表面の品質は引き続きトランジスタのパフォーマンスを決定する主な要因となります。純粋で非常に均一なナノシート表面により、トランジスタのオン/オフの速度を決定する上で中心的な役割を果たすチャネルの電子移動度が劇的に向上し、次世代 AI チップの要求を満たすように設計された、より高速でエネルギー効率の高いトランジスタが実現します。Viva のオングストロームレベルの精密表面エンジニアリング能力は、AI 時代のトランジスタ性能を実現する、スケーラブルで生産準備が整ったソリューションを提供します。