フォトマスクは、数十億のデバイスを有するチップ設計を可能にする、トランジスタのスケーリングにおける著しい進歩をサポートしています。複雑さを増すトランジスタと193nm光学リソグラフィーの拡張により、7nmノードのチップ設計では80枚以上のフォトマスクが必要となります。
アプライド マテリアルズのAera4™ 検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。
最新リソグラフィーグレードのレンズを備えたAera4システムでは、...
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世界トップクラスのCD均一性は、レジストコートの品質に依存します。ナノメータのスケールでは、数多くの要因が精度に影響を与えます。これらの要因には、純度、チャンバ内空気の温度と湿度、マスク表面の前処理、レジスト滴下およびスピン特性、...
193iおよびEUVリソグラフィーを使用したフォトマスクの洗浄方法は、繊細なマスク材料とマスクが使用される環境によって決まります。マスク洗浄プロセスは、刺激の強い化学処理から、極小パーティクルの除去や洗浄度の高いマスク表面の実現のための刺激の弱い高周波メガソニック（...
フォトマスク製造向けに化学的に増幅されたレジストの使用には、パターン露光によって開始された化学反応を完結する、ポスト露光ベーク（PEB）ステップの厳密な制御が要求されます。最終的なパターン形状はベーク温度および時間の影響を受けます。...
露光されたレジストパターンの正確な現像は、コート、露光、ベークにおいて、高度に制御されたプロセスを経たフォトマスクのCD均一性を保つために非常に重要です。これを達成するためには、マスク表面に均一かつ同時に現像液を供給する必要があります。現像不足を回避し、...
EUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。 EUVリソグラフィによって使用される13.5nmの波長では、全てのフォトマスク材料は不透明であるので、...
フォトマスクエッチング装置Applied Centura Tetra Zは、10nm世代以降のロジック／メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。新システムでは、前例のないCD性能を達成しつつ、...
