ムーアの法則を40年間にわたり実現してきた現在、さらなる（２次元の）スケーリングは非常に難しくなっています。
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
View product detail
Ginestra™ is a software product designed to simulate the operation and electrical characteristics of modern logic (e.g., FinFET, FeFET)...
画期的なApplied Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。
...
先進のチャンバ材料により、COO（Cost of Ownership）を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。また、製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。...
アプライド マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。また、3倍周波数の電力とマルチゾーンガス注入により、...
DPN HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。...
要求のデバイス性能を達成するには、ますます薄くなっていく等価酸化膜厚 (EOT) の目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。22nm以下のスケーリングでは、超薄膜High-k層を達成するために、...
業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。多種多様なPVD工程の要求に応えるため、Extensa...
同システムは、DRAM周辺のダイレクトコンタクトアプリケーション向けに、Siconiプリシリサイドクリーン技術とPVDコバルト、TiNキャップ成膜を統合しています。コバルトシリサイドは、高アスペクト比の周辺コンタクトにおいて最も低い抵抗値を実現し、...
同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...
チップメーカーは 面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。
トランジスタ間の微小かつ、...
Precisionチャンバの特別な設計により、ゲートスタックに求められる膜品質を満たしつつ層間の均一な成膜が可能になり、チップメーカーはプラナーから3D NAND製造へと移行できるようになります。複数のプロセスとチャンバ環境のパラメーターが調整可能な独自の仕様により、...
先進のプロセス制御を備えた6つの研磨ステーションと8つの統合クリーニングステーションを装備し、同システムはこれらの3Dアプリケーションで求められる高精度なプロセスを、比類のない均一性と高いスループットにて提供します。より優れた研磨およびクリーニング能力（...
優れた生産性と信頼性、コンパクトなサイズを意識してデザインしたAstra DSAシステムは、競争力の高いCOO (Cost of Ownership)を提供し、同タイプのアニールに欠かせない、期待通りの生産実用性を発揮します。
同システムの画期的なテクノロジーにより、メモリゲート酸化、STI（浅溝分離）ライナー酸化、犠牲酸化、側壁酸化、フラッシュトンネル酸化、ONO膜層など、重要な酸化ステップのスケーリング障壁を打破します。RadOxは、生産性の高い、...
同システムは、ハニカム構造型光源、7点温度計測、100 Hzクローズドループ制御、240 rpmウェーハ回転機構といった、実績のあるRadianceチャンバテクノロジーを活用しています。その最適化されたハードウェアと温度制御により、注入やその他のアニール、...
優れた温度均一性に加えて、システムは超低温から超高温（150℃〜1300℃）までの広いプロセス範囲を提供します。このように、従来のVantageRadiance®PlusRTPシステムの先進的なスパイク機能と、サブ秒アニール、超低温アニール、...
