イオン注入 (ドーピングの一方式) は、集積回路の製造に不可欠な手法です。チップの複雑化に伴い、注入工程数が増加しています。近年のメモリを埋め込んだCMOS集積回路では、注入回数が最大60回にまで達しています。
新システムは、VIIStaプラットフォームのビームラインアーキテクチャにおいて実証された、世界トップクラスのパーティクル性能を活用しています。フィルターマグネットは、ソースにある不要な注入物のほとんどを除去します。トリプルマグネットアーキテクチャは、...
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65nmテクノロジーノード以降では、従来のバッチ式高エネルギー注入装置の限界により、高エネルギープロセスにおけるデバイス性能に問題が生じます。次世代デバイス製造に必要な、正確な角度制御、ドーズ量制御、生産性を達成するために、枚葉式アーキテクチャが求められています。...
再現性のある正確な注入角度制御は、先進デバイスの大量生産における正確なドーピングにおいて非常に重要です。Varian Positioning System (VPS) は、アプリケーションエンベロープ全体を通して、確実にレベルを制御します。
VIISta...
デュアルマグネットリボンビームアーキテクチャの革新により、ビームラインの伝送、ウェーハ上のビーム活用、ビーム電流出力を改善しました。
VIISta HCPのデュアルマグネットリボンビームアーキテクチャは、成膜によって生成されるパーティクルと、...
同システムは業界をリードするドーズの保持と均一性を提供し、次のメリットを提供します。
新しいVIISta Tridentシステムは、半導体業界で最も高度な枚葉式の大電流イオン注入ソリューションです。このシステムは、VIISta高電流イオン注入プラットフォームの生産実証済みシングルウェハ・アーキテクチャを活用して、エネルギー純度、均一性、...
