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エピタキシーは、半導体製造において、半導体デバイスを作り込むための欠陥がない完全な結晶基板層の生成、設計された電気特性を備えた結晶膜の形成、または、電気伝導率の改善を目的に下地層の機械的特性の変更のために使用されます。
この最後のアプリケーションは、歪み技術といわれるもので、トランジスタチャネルの格子構造において、圧縮もしくは張力歪み技術を持つエピタキシャル層を生成します。アプライド マテリアルズのエピタキシー技術は、これら全てのアプリケーションに対応し、ドーパント原子の精密な配置、きわめて低い欠陥発生率、選択的成膜とともに、すぐれた均一性の膜を生成します。
Applied Centura Epi装置は、世界中で約900台の200mmチャンバで採用されている、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。放射加熱された各チャンバは、正確かつ再現性のある成膜条件の制御を提供し、100%滑らない膜...
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Centura Prime Epiは、20年以上にわたり業界をリードしてきたCentura RP Epiシステムで得たエピタキシー技術に関する知見を基にしており、システムの中核となる技術を維持しつつ、装置のコンフィギュラビリティとプロセス能力を強化しました。...