アプライド マテリアルズのEnduraプラットフォームは、半導体業界史上、最も成功を収めたメタライゼーションシステムです。Enduraシステムは、従来の性能をはるかにしのぐ画期的なテクノロジー、信頼性、サービスの容易さ、柔軟性により、半導体のメタライゼーションに革命をもたらしました。過去20年間に作られたマイクロチップは、全世界で100を超えるお客様に向けて出荷された、4500以上のEnduraシステムのいずれかを使用して製造されています。
タングステンは、電気抵抗が小さいこととバルク埋め込み特性により、MOL(middle-of-line)コンタクトのギャップフィル材料として広く使用されています。MOLコンタクトは、トランジスタとチップ内の配線をつなぐ重要な電気的要素です。そのため、...
View product detail
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。...
今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア/シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても...
Endura AvenirシステムのRF PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。
High-k/メタルトランジスタでは、...
チタン窒化物(TiN)の薄膜に、革新的な物理気相成長(PVD)テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、...
The thickness tuning capability of the EnCoRe II Ta(N) chamber enables customers to reduce barrier thickness for line resistance scaling...
MEMSやCMOSイメージセンサといった新興のアプリケーション、Si貫通電極(TSV)のようなパッケージングテクノロジーが、窒化アルミニウム(AIN)、酸化インジウム錫(ITO)、酸化アルミニウム(Al2O3)、ゲルマニウム(Ge)といった、PVDの開発を牽引しています...
能動的なウェーハ温度制御とストレス調整により、低いCOO(Cost of Ownership)を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。プリクリーンXTを用いた残留有機物や自然酸化物のin-situ除去により、...
TSVメタライゼーション向けに特別に設計されたApplied Endura Ventura PVD装置は、アプライド マテリアルズの物理気相成長(PVD)における最先端の製品で、お客様は2Dダマシン統合インフラやアスペクト比10:1以上のTSVのノウハウ、2....
複雑なモバイルテクノロジーからの要求に牽引され、必要とされる性能およびコンパクトなフォームファクタを提供するため、複数部品のシステム・オン・チップ(SoC)デザインが急増しています。これら最新のプロセッサ向けの積極的なピッチのスケーリングは結果として、より高密度な回路や、...
タングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。したがって、...
同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90%以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...