CVDプロセスは、広範なアプリケーションに使用される成膜技術です。膜のパターニングや、トランジスタ構造内の断熱材、電気回路を形成する伝導性メタルの層間など、幅広い用途に活用されています。アプリケーションの代表的な例は、浅溝分離、プリメタル誘電体、インターメタル誘電体、およびパッシベーションです。これらは、より優れた伝導率によってトランジスタの性能を向上させる、圧縮応力と引張応力を有した膜を使用する歪みエンジニアリングにおいても重要です。
タングステンは、電気抵抗が小さいこととバルク埋め込み特性により、MOL(middle-of-line)コンタクトのギャップフィル材料として広く使用されています。MOLコンタクトは、トランジスタとチップ内の配線をつなぐ重要な電気的要素です。そのため、...
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これらの膜は、Centura DxZ CVD装置で製造可能な幅広い製品群に含まれています。アプライド マテリアルズの絶縁CVD膜における強みの基礎は、TEOS、シランベースの酸化膜、窒化膜から始まり、先進のチップ製造プロセス、Low-k、歪みエンジニアリング、...
Its reactor design and process technology enable deposition of both undoped and doped films for a wide range of applications, including...
タングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線(最低レベル)の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。早期のノードでは、より大きな寸法で、...
複雑なモバイルテクノロジーからの要求に牽引され、必要とされる性能およびコンパクトなフォームファクタを提供するため、複数部品のシステム・オン・チップ(SoC)デザインが急増しています。これら最新のプロセッサ向けの積極的なピッチのスケーリングは結果として、より高密度な回路や、...
タングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。したがって、...
Running at virtually every advanced DRAM, NAND flash, and NOR flash manufacturing site, the system produces the industry's first...
TSV製造には、デバイスウェーハの薄化や、ガラスまたはシリコン製の一時的なキャリアへの仮貼り合わせの工程があります。 通常のボンディング用接着剤のサーマルバジェットは約200℃のため、...
BLOk膜は、誘電膜スタックの静電容量を大幅に削減すると同時に、継続的なRCスケーリングにおける優れたエッチング選択性と電気性能を維持します。定評のある表面準備・イニシエーション層プロセスにより、BLOkをBlack Diamondと簡単に統合でき、...
Black Diamond IIナノ多孔質Low-k膜は、k値約2.5の45/32nm銅/Low-k配線での業界標準です。 low-k ナノ多孔質Low-k膜は2段階で形成されます。PECVD成長による有機シリケートガラスの「バックボーン」と熱的に不安定な有機相の作成、...
全世界で3000台以上の出荷実績を誇る、Applied Producerは、業界で最もコスト効率の高いウェーハ処理プラットフォームです。同プラットフォームの革新的なTwin Chamber構造により、最大6枚のウェーハの同時処理が可能で、生産性が向上します。
本装置は、最大1.7GPaの引張応力を実現すると同時に、低サーマルバジェットの要件も満たす、統合された引張応力窒化膜の成膜とUV硬化を提供します。 また、同じチャンバで、最大3.5GPaの圧縮応力を持つ膜を成膜できます。 このプロセスでは、...
Used in conjunction with Applied Materials' APF™ (Advanced Patterning Film) strippable CVD hardmask, the APF/DARC film stack delivers...
チップメーカーは 面積当たりの機能をより高めるため、チップ上のトランジスタを小型化し続けています。トランジスタの小型化が進むに連れて、それらの間隔も狭くなり、トランジスタ同士を物理的に分離することがますます困難になってきました。
トランジスタ間の微小かつ、...
特許取得済みのオゾン/TEOSケミストリーを使用する独自のHARPプロセスにより、歪み誘起膜を堆積することで、2Dプレーナロジックにおけるトランジスタの駆動電流を増幅し、トランジスタの特性を向上させることができます。また、...
TSVプロセスへの多様化を進めているお客様にとって、InViaシステムはベンチマークプロセスを提供するだけではなく、TSV製造シーケンスにおける導入実績という付加価値をもたらします。同プロセスはビアミドルTSVのサーマルバジェットと等角性要件を唯一、満たすものです。...
Precisionチャンバの特別な設計により、ゲートスタックに求められる膜品質を満たしつつ層間の均一な成膜が可能になり、チップメーカーはプラナーから3D NAND製造へと移行できるようになります。複数のプロセスとチャンバ環境のパラメーターが調整可能な独自の仕様により、...