ALD は、今日の最先端のプレーナデバイスと同様に、業界の3Dアーキテクチャへの移行を実現する上で、非常に重要な役割を担います。アプライド マテリアルズのALDシステムは、先進のトランジスタ、メモリおよび配線アプリケーション向けに、酸化、メタル窒化、メタルを一度に単層ずつ微量に成膜することで、極薄の層を成膜します。
要求のデバイス性能を達成するには、ますます薄くなっていく等価酸化膜厚 (EOT) の目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。22nm以下のスケーリングでは、超薄膜High-k層を達成するために、...
View product detail
タングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線（最低レベル）の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。早期のノードでは、より大きな寸法で、...
同システムは、革新的なALDタングステン核形成技術と高スループットSprint CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。
ALDプロセスは、PVD Ti/MOCVD TiNライナー／...
同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...
継続的なプロセスの微細化が、デバイス性能の新境地を牽引しています。デバイスに不可欠な工程数が増加し続けている、三次元NANDやロジックFinFET製造では、ALD（原子層成長）が非常に重要です。ALDで実現されるコンフォーマル性や均一な膜厚は、依然としてCD（限界寸法）...
