Nokotaシステムは、多様なパッケージ方式に使用されるすべてのめっき工程でクラス最高のパフォーマンスを提供する高生産性ウェーハレベルパッケージ用めっき装置であり、アプライド マテリアルズのECDアプリケーションを拡げています。その範囲は、...
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半導体製造において、欠陥のレビュー、分類、解析は、半導体の製造シーケンスにおける個々の工程の品質を監視、管理する手段として、非常に重要です。半導体デバイスの形状寸法の縮小化が進み、複雑さが増すにつれ、重大な欠陥も同様に縮小され、3D 構造内の場所の特定が困難になっている中...
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
アプライド マテリアルズのAera4™ 検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。
最新リソグラフィーグレードのレンズを備えたAera4システムでは、...
10年以上にわたり半導体のスケーリングが進み続け、チップ製造に求められる精度と均一性が厳しさを増す中で、 シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。これにより、Applied Centris Sym3システムは、1x/...
DPN HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。...
CMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える（格子を押し縮める）ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。...
機能性対生産量比率の最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元（3D）スキームを使用してチップの組み込みを行っています。Si貫通ビア (TSV) 技術は、重ねられたチップまたはウェーハを繋ぐ集積回路のコンポーネントとして機能する垂直経路を構築することにより、3D...
EUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。 EUVリソグラフィによって使用される13.5nmの波長では、全てのフォトマスク材料は不透明であるので、...
フォトマスクエッチング装置Applied Centura Tetra Zは、10nm世代以降のロジック／メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。新システムでは、前例のないCD性能を達成しつつ、...
Its reactor design and process technology enable deposition of both undoped and doped films for a wide range of applications, including...
タングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線（最低レベル）の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。早期のノードでは、より大きな寸法で、...
The Applied Materials Charger UBM PVD system defines a new standard in metal deposition productivity and reliability for chip packaging...
Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD（物理気相成長）システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。...
今日まで、イオン化物理気相成長（PVD）は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア／シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても...
Endura AvenirシステムのRF PVD（物理気相成長）技術は、High-k／メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。
High-k／メタルトランジスタでは、...
チタン窒化物（TiN）の薄膜に、革新的な物理気相成長（PVD）テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、...
The thickness tuning capability of the EnCoRe II Ta(N) chamber enables customers to reduce barrier thickness for line resistance scaling...
能動的なウェーハ温度制御とストレス調整により、低いCOO（Cost of Ownership）を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。プリクリーンXTを用いた残留有機物や自然酸化物のin-situ除去により、...
タングステンは、その低抵抗率とコンフォーマルなバルクフィル特性により、ロジックのコンタクト、MOL、メタルゲートフィルのアプリケーションで広く用いられています。コンタクトとローカル配線は、トランジスタと回路のその他の部品間の重要な電気通路を形成します。したがって、...
同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90％以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-...
継続的なプロセスの微細化がデバイス性能を向上させる中で、ALD技術は、増え続けるDRAM、3D NAND、またロジックにおけるFinFET技術の製造工程で非常に重要になってきています。ALDが実現するコンフォーマルで均一な膜厚は、CD制御に必須ですが、それに加えて、...
デザインルールが一桁台のノードまで微細化し、デバイスのアーキテクチャがより高密度かつ複雑になっていくに従い、製造プロセスにはより多くのプロセスが含まれ、プロセス制御の制限はより厳しく、致命的となる欠陥のサイズはより小さくなっていきます。このような条件において、...
