Nokotaシステムは、多様なパッケージ方式に使用されるすべてのめっき工程でクラス最高のパフォーマンスを提供する高生産性ウェーハレベルパッケージ用めっき装置であり、アプライド マテリアルズのECDアプリケーションを拡げています。その範囲は、...
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半導体製造において、欠陥のレビュー、分類、解析は、半導体の製造シーケンスにおける個々の工程の品質を監視、管理する手段として、非常に重要です。半導体デバイスの形状寸法の縮小化が進み、複雑さが増すにつれ、重大な欠陥も同様に縮小され、3D 構造内の場所の特定が困難になっている中...
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
アプライド マテリアルズのAera4™ 検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。
最新リソグラフィーグレードのレンズを備えたAera4システムでは、...
画期的なApplied Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。
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10年以上にわたり半導体のスケーリングが進み続け、チップ製造に求められる精度と均一性が厳しさを増す中で、 シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。これにより、Applied Centris Sym3システムは、1x/...
先進のチャンバ材料により、COO（Cost of Ownership）を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。また、製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。...
アプライド マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。また、3倍周波数の電力とマルチゾーンガス注入により、...
DPN HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。...
要求のデバイス性能を達成するには、ますます薄くなっていく等価酸化膜厚 (EOT) の目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。22nm以下のスケーリングでは、超薄膜High-k層を達成するために、...
CMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える（格子を押し縮める）ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。...
機能性対生産量比率の最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元（3D）スキームを使用してチップの組み込みを行っています。Si貫通ビア (TSV) 技術は、重ねられたチップまたはウェーハを繋ぐ集積回路のコンポーネントとして機能する垂直経路を構築することにより、3D...
EUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。 EUVリソグラフィによって使用される13.5nmの波長では、全てのフォトマスク材料は不透明であるので、...
フォトマスクエッチング装置Applied Centura Tetra Zは、10nm世代以降のロジック／メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。新システムでは、前例のないCD性能を達成しつつ、...
Its reactor design and process technology enable deposition of both undoped and doped films for a wide range of applications, including...
タングステンは、その低い抵抗率と最低限の電気移動により、トランジスタと残りの集積回路をつなくコンタクトフィルや中央配線（最低レベル）の材料として、ロジックやメモリデバイスに長年、採用されてきました。早期のノードでは、より大きな寸法で、...
同システムは、革新的なALDタングステン核形成技術と高スループットSprint CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。
ALDプロセスは、PVD Ti/MOCVD TiNライナー／...
The Applied Materials Charger UBM PVD system defines a new standard in metal deposition productivity and reliability for chip packaging...
Applied Endura ALPS (Advanced Low-Pressure Source) Cobalt PVD（物理気相成長）システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。...
Endura Al Slab PVD（物理気相成長）システムは、ロジックおよびDRAMデバイスにおいて、タングステンプラグ上にアルミニウムを成膜し、メタル配線を形成し…このシステムは、優れたエレクトロマイグレーション耐性と表面モフォロジーを提供し、同時に低いCOO (...
今日まで、イオン化物理気相成長（PVD）は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。2xnm以降のノードでは、最も最適化されたバリア／シードプロセスにおいて、オーバーハングのないコンフォーマルなカバレージが達成できても...
Endura AvenirシステムのRF PVD（物理気相成長）技術は、High-k／メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。
High-k／メタルトランジスタでは、...
チタン窒化物（TiN）の薄膜に、革新的な物理気相成長（PVD）テクノロジーを提供するEndura Cirrus HTX TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。チップのフィーチャーが縮小し続けるに連れ、...
The thickness tuning capability of the EnCoRe II Ta(N) chamber enables customers to reduce barrier thickness for line resistance scaling...
