Semiconductor scaling continues steadily into the single-digit nodes, setting increasingly demanding requirements for precision and...
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タングステンは、電気抵抗が小さいこととバルク埋め込み特性により、MOL（middle-of-line）コンタクトのギャップフィル材料として広く使用されています。MOLコンタクトは、トランジスタとチップ内の配線をつなぐ重要な電気的要素です。そのため、...
Nokotaシステムは、多様なパッケージ方式に使用されるすべてのめっき工程でクラス最高のパフォーマンスを提供する高生産性ウェーハレベルパッケージ用めっき装置であり、アプライド マテリアルズのECDアプリケーションを拡げています。その範囲は、...
半導体製造において、欠陥のレビュー、分類、解析は、半導体の製造シーケンスにおける個々の工程の品質を監視、管理する手段として、非常に重要です。半導体デバイスの形状寸法の縮小化が進み、複雑さが増すにつれ、重大な欠陥も同様に縮小され、3D 構造内の場所の特定が困難になっている中...
集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。さらなる微細化を実現し、よりコンパクトで速い電子デバイスを達成するためには、...
アプライド マテリアルズのAera4™ 検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。
最新リソグラフィーグレードのレンズを備えたAera4システムでは、...
Applied Aeris™-Gシステムはプリポンプによるプラズマ除去ソリューションで、ポストポンプの除去ユニットよりも、実際のプロセスガスを少量かつ濃縮して使用することで、消費電力を低減します。除去処理中のAeris-Gチャンバ内で、...
Ginestra™ is a software product designed to simulate the operation and electrical characteristics of modern logic (e.g., FinFET, FeFET)...
世界トップクラスのCD均一性は、レジストコートの品質に依存します。ナノメータのスケールでは、数多くの要因が精度に影響を与えます。これらの要因には、純度、チャンバ内空気の温度と湿度、マスク表面の前処理、レジスト滴下およびスピン特性、...
193iおよびEUVリソグラフィーを使用したフォトマスクの洗浄方法は、繊細なマスク材料とマスクが使用される環境によって決まります。マスク洗浄プロセスは、刺激の強い化学処理から、極小パーティクルの除去や洗浄度の高いマスク表面の実現のための刺激の弱い高周波メガソニック（...
フォトマスク製造向けに化学的に増幅されたレジストの使用には、パターン露光によって開始された化学反応を完結する、ポスト露光ベーク（PEB）ステップの厳密な制御が要求されます。最終的なパターン形状はベーク温度および時間の影響を受けます。...
露光されたレジストパターンの正確な現像は、コート、露光、ベークにおいて、高度に制御されたプロセスを経たフォトマスクのCD均一性を保つために非常に重要です。これを達成するためには、マスク表面に均一かつ同時に現像液を供給する必要があります。現像不足を回避し、...
画期的なApplied Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。
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10年以上にわたり半導体のスケーリングが進み続け、チップ製造に求められる精度と均一性が厳しさを増す中で、 シリコンエッチチャンバの包括的な再設計が促進されました。これにより、Applied Centris Sym3システムは、1x/...
先進のチャンバ材料により、COO（Cost of Ownership）を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。また、製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。...
アプライド マテリアルズのAvatarシステムはステップ間の温度調整と制御を組み合わせ、エッチングシーケンスの各部で正しい温度設定ポイントと安定性を確保します。また、3倍周波数の電力とマルチゾーンガス注入により、...
DPN HD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。デバイス要求に合わせて高窒素濃度SiONをPolyの下に、低窒素濃度SiONをゲートスタックのシリコン上に形成し、高いチャネル移動度を維持します。...
これらの膜は、Centura DxZ CVD装置で製造可能な幅広い製品群に含まれています。アプライド マテリアルズの絶縁CVD膜における強みの基礎は、TEOS、シランベースの酸化膜、窒化膜から始まり、先進のチップ製造プロセス、Low-k、歪みエンジニアリング、...
Applied Centura Epi装置は、世界中で約900台の200mmチャンバで採用されている、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。放射加熱された各チャンバは、正確かつ再現性のある成膜条件の制御を提供し、100％滑らない膜...
Applied Centura Etch Reactorsの新しい200mmテクノロジーは、MEMSの100：1以上のアスペクト比、SJ MOSFET向けのオール・イン・ワン・ハードマスクのオープントレンチストリップ、LEDやパワーデバイス向けのITO、GaNといった、...
アプライド マテリアルズの特許取得済みHDP-CVDリアクターデザインとプロセステクノロジーは、STI、プリメタル絶縁膜、ILD、IMD、パッシベーションなどの幅広いアプリケーションにおいて、ドープおよび非ドープ膜の成膜を可能にします。
要求のデバイス性能を達成するには、ますます薄くなっていく等価酸化膜厚 (EOT) の目標を満たさねばならず、各ノードにおいて、絶縁膜スタックの厚さを、さらに薄くする必要があります。22nm以下のスケーリングでは、超薄膜High-k層を達成するために、...
CMOS技術では、PMOSとNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える（格子を押し縮める）ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。...
機能性対生産量比率の最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元（3D）スキームを使用してチップの組み込みを行っています。Si貫通ビア (TSV) 技術は、重ねられたチップまたはウェーハを繋ぐ集積回路のコンポーネントとして機能する垂直経路を構築することにより、3D...
