Applied^™ Sigmameltec^™ MRC Mask Clean Series

敏感性掩模材料和掩模使用环境在推动着 193i 和 EUV 光刻中使用的光掩膜清洗方法的发展。掩模清洗工艺已从侵蚀性化学处理演变为更温和的化学制剂结合高频超声波来完成，以去除更小的微粒，获得更洁净的掩模面。

Sigmameltec 的 MRC 系统为掩模制作商提供了可适应其要求的成套工具，包括能以温和方式有效剥除光刻胶和去除残余有机物的等离子腔。两个清洗室通过湿法机械臂来运行，可将化学清洗与关键的最终清洗步骤相隔离。可用的化学物包括臭氧水、CO₂ 水、与 TMAH 相结合的水解水、过氧化氢硫酸混合物以及 SC-1。

主要特色与优点：

• 下游的等离子体可有效无损地去除有机材料，包括 EUVL 掩模上的碳污染
• 通过两个湿腔间的工艺隔离来优化清洗性能
• 具有“声刷”效应的高频超声波头可有效地去除微粒，而不会损坏精细的掩模特征
• 可均匀喷射臭氧水流的线性缝隙式喷头和原位紫外光照射，有效去除有机材料
• 可喷射微米级液滴的速度冲击型喷嘴，结合使用化学溶剂，去除顽固微粒
• 用于表面制备和离子去除的真空烘焙室
• 背部超声波可实现高处理量和全掩模清洗，而无需翻转
• 无硫酸盐和低铵工艺可避免在 193i 掩模上形成烟雾