Centura^® Tetra^™ EUV 先进光掩模刻蚀系统

极紫外光 (EUV) 光掩膜用于新式光刻系统中，通过高能、短波长光源，将电路图形转印到晶圆上。EUV 光源的波长约为目前深紫外光刻所用光源波长的十五分之一，从而能够进一步微缩特征尺寸。

EUV 光掩膜与传统的光掩膜截然不同，后者是有选择性地透射 193nm 波长的光线，将电路图形投射到晶圆上。EUV 光刻采用 13.5nm 波长的光源，所有光掩膜材料都不透明，由掩膜中的复杂多层反射镜将电路图形反射到晶圆上。这种多层 EUV 光掩膜在保持反射率的同时，也在关键尺寸 (CD)、形貌、线条边缘粗糙度、选择比和缺陷控制方面为刻蚀工艺带来独特的挑战。

Centura Tetra EUV 系统针对 EUV 光掩膜所需新材料及复杂多层结构的刻蚀做了特别的设计，以满足图形精度、表面光洁度和缺陷方面的严苛规格，在反射模式下达成高的光刻良率，延续了应用材料在掩膜刻蚀领域的长期领先地位。优化的腔体和功率输出设计配合专门的工艺气体和刻蚀技术，提供了几乎无损伤的刻蚀，业界最佳的 CD 均匀性和国际一流的缺陷控制水平。