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| 本新聞稿譯自總公司發佈的新聞稿 | |
應用材料公司宣布與 SK 海力士(SK hynix Inc.)簽訂長期合作協議,將加速開發並部署對 AI 和高效能運算至關重要的下一世代 DRAM 和高頻寬記憶體(HBM)。隨著記憶體架構發展,逐步超越目前的量產製程節點,雙方的工程團隊將在應材位於矽谷的 EPIC 中心並肩合作,共同推進材料、製程整合和 3D 先進封裝等技術創新。
應用材料公司總裁暨執行長蓋瑞‧迪克森(Gary Dickerson)表示:「應用材料公司和 SK 海力士長期攜手合作,透過材料工程創新,提升先進記憶體晶片的能源效率表現。我們很高興 SK 海力士成為 EPIC 中心的創始夥伴,期待雙方共同推動更多突破,加速下一世代 DRAM 和高頻寬記憶體技術在 AI 時代的商業化進程。」
SK 海力士總裁暨執行長郭魯正(Nohjung Kwak)表示:「AI 系統的持續擴展,帶動對節能記憶體技術前所未有的需求。推動 AI 發展的最大挑戰之一,就是記憶體速度與處理器效能進展之間的差距不斷擴大。而我們的先進記憶體技術開闢了一條道路,能帶領我們通往更快、更具能源效率的資料處理方式。我們期待與應用材料公司在新的 EPIC 中心合作,打造創新藍圖,實現專為 AI 優化的下一世代記憶體解決方案。」
應材和 SK 海力士簽訂了一項全面的技術開發協議,共同應對下一世代記憶體領域長期存在的半導體研發挑戰。最早的共同創新計畫將聚焦於探索新材料、複雜整合方案,以及實現高頻寬記憶體等級的先進封裝,目標是提升未來記憶體架構的效能和可製造性。本次合作將充分運用 EPIC 中心的高速共同創新模式,SK 海力士的工程師將與應材的技術專家攜手,加快新技術的開發。此外,SK 海力士也將藉助應材在新加坡領先業界的先進封裝研發能力,串聯元件層級創新與異質整合技術,以應對 3D 先進封裝所帶來的新興挑戰。
應用材料公司半導體產品事業群總裁帕布‧若傑(Prabu Raja)博士表示:「記憶體技術持續演進,越來越依賴橫跨元件層級和封裝層級的材料工程創新。透過結合矽谷 EPIC 中心的研發量能和應材在新加坡的先進封裝能力,我們與 SK 海力士的合作將實現整體技術堆疊的共同最佳化,並加速實現具備量產條件的記憶體創新。」
SK 海力士技術長車宣龍(Seon Yong Cha)表示:「因應 AI 時代的記憶體技術發展,晶圓廠設備開發需要採取全新的技術路徑。我們與應用材料公司的共同創新計畫,將聚焦在橫跨元件工程和先進封裝的新材料、整合方法與熱管理技術。透過在 EPIC 中心與應材工程師並肩合作,我們的團隊得以加快學習週期,並為下一世代 AI 記憶體取得貼近量產需求的技術驗證。」
SK 海力士成為 EPIC 中心的創始夥伴,在今年正式啟用前,即與應材及其他產業領導廠商展開合作,累積強勁動能。應用材料公司位於矽谷的全新設備與製程創新暨商業化(Equipment and Process Innovation and Commercialization, EPIC)中心耗資 50 億美元*,是美國迄今在先進半導體設備研發上最大規模的投資。從規劃之初,即致力於大幅縮短突破性技術從早期研發到全面量產的商業化進程。對晶片製造商來說,EPIC 中心將使其能更早接觸到應材的研發技術組合,加快學習週期,並加速下一世代技術導入量產。此外,透過 EPIC 中心的共同創新計畫,應材也將取得更全面的多節點技術視野,進而引導研發投資,同時提高研發生產力,並促進價值共享。
*隨客戶專案的展開,資本支出預期將逐步增加至約 50 億美元。
前瞻性陳述
本新聞稿包含前瞻性陳述,包括應材的投資和成長策略、新材料和技術的開發、產業展望和技術需求、EPIC 中心的計畫和期望,以及其他非歷史實績的陳述。這些陳述或假設的可能受到某些已知或未知的風險或不確定因素影響,並不保證未來績效。可能導致實際結果與這些陳述所表達或暗示的結果有實質性差異的因素包括,但不限於下列內容:對半導體的需求和客戶的技術要求;開發新技術和創新技術的能力;在關鍵技術上獲得和保護智慧財產權的能力;實現 EPIC 中心目標的能力;在應用材料公司提交給美國「證券交易委員會」報告中所提及的其他各種風險和不確定因素,包括截至最新的 10-K、10-Q 及 8-K 表。所有前瞻性陳述都是截至發稿日為止,依據管理上的估計、預測和假設所述,本公司並無義務更新本新聞稿中所提之前瞻性資料。
應用材料公司(那斯達克代號: AMAT)是材料工程解決方案的領導者,其技術深植於全球幾近所有新世代半導體與先進顯示器的核心,並在推動人工智慧技術發展與加速次世代晶片商業化扮演關鍵角色。在應用材料公司,我們突破科學與工程的極限,引領材料創新,驅動世界的關鍵變革。瞭解更多訊息,請至www.appliedmaterials.com